Вышедшие номера
Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si
Переводная версия: 10.1134/S106378341912031X
Министерство образования и науки Российской Федерации , Государственное задание, 16.9789.2017/БЧ
Сколтех, Генеральное соглашение о научно-исследовательской деятельности между Сколтехом и Академическим университетом №3663-MRA, Проект №4
РНФ, № 19-72-30004
Мизеров А.М.1, Кукушкин С.А. 2, Шарофидинов Ш.Ш.3, Осипов А.В.4, Тимошнев С.Н.1, Шубина К.Ю.1, Березовская Т.Н.1, Мохов Д.В.1, Буравлев А.Д.1,3
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: andreymizerov@rambler.ru, sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 16 июля 2019 г.
В окончательной редакции: 16 июля 2019 г.
Принята к печати: 25 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

Обнаружен эффект инверсии полярности в слоях GaN с N-полярного слоя GaN на Ga-полярный слой GaN в процессе последовательного выращивания пленок GaN на гибридных подложках SiC/Si(111) методами методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота и методом хлорид-гидридной эпитаксии. Разработан новый метод формирования свободных от трещин Ga-полярных гетероструктур GaN/AlN на гибридных подложках SiC/Si(111). Метод включает в себя два этапа выращивания слоев GaN. На первом этапе методом МПЭ ПА на поверхности SiC/Si(111) выращивается переходный N-полярный слой GaN. На втором этапе, методом ХГЭ на полученном N-полярном слое GaN выращиваются два слоя, а именно слой AlN, а затем слой GaN, который на этом этапе вырастает Ga-полярной ориентации. Установлено, что травление в растворе KOH затрагивает только N-полярный переходный слой GaN и приводит к полному его удалению, что позволят полностью отделить основной Ga-полярный слой GaN от подложки SiC/Si(111). Метод позволяет выращивать свободные от трещин и упруго не напряженные толстые слои GaN, и переносить их на подложки других материалов. Ключевые слова: GaN, AlN, кремний, SiC на Si, метод замещения атомов, молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией, хлорид-гидридная эпитаксия.
  1. K. Kim, M. Hua, D. Liu, J. Kim, K.J. Chen, Z. Ma. Nano Energy 43, 259 (2018)
  2. R. Hentschel, J. Gartner, A. Wachowiak, A. Grober, T. Mikolajick, S. Schmult. J. Crystal Growth 500, 1 (2018)
  3. A. Binder, J.-S. Yuan, B. Krishnan, P.M. Shea. Superlat. Microstruct. 121, 92 (2018)
  4. G.H. Chung, T.A. Vuong, H. Kim. Results Phys. 12, 83 (2019)
  5. Y. Li, X. Xiu, Z. Xiong, X. Hua, Z. Xie, T. Tao, P. Chen, B. Liu, R. Zhang, Y. Zheng. Mater. Lett. 240, 121 (2019)
  6. J.A. Freitas Jr., J.C. Culbertson, N.A. Mahadik, M.J. Tadjer, S. Wu, B. Raghothamachar, M. Dudley, T. Sochacki, M. Bockowski. J. Crystal Growth 500, 104 (2018)
  7. N. Zainal, M.E.A. Samsudin, M.I.M. Taib, M.A. Ahmad, A. Ariff, N. Alwadai, I.S. Roqan. Mater. Sci. Semiconduct. Proc. 88, 40 (2018)
  8. T.H. Yang, J.T. Ku, J.-R. Chang, S.-G. Shen, Y.-C. Chen, Y.Y. Wong, W.C. Chou, C.-Y. Chen, C.-Y. Chang. J. Crystal Growth 311, 1997 (2009)
  9. А.М. Мизеров, С.Н. Тимошнев, М.C. Соболев, Е.В. Никитина, К.Ю. Шубина, Т.Н. Березовская, И.В. Штром, А.Д. Буравлев. ФТП 52, 1425 (2018)
  10. S.A. Kukushkin, A.M. Mizerov, A.V. Osipov, A.V. Redkov, S.N. Timoshnev. Thin Solid Films 646, 158 (2018)
  11. С.А. Кукушкин, А.М. Мизеров, А.С. Гращенко, А.В. Осипов, Е.В. Никитина, С.Н. Тимошнев, А.Д. Буравлев, М.С. Соболев. ФТП 53, 190 (2019)
  12. S.A. Kukushkin, Sh.Sh. Sharofidinov, A.V. Osipov, A.V. Redkov, V.V. Kidalov, A.S. Grashchenko, I.P. Soshnikov, A.F. Dyadenchuk. ECS J. Solid State Sci. Technology 8, X1 (2019)
  13. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 50, 1188 (2008)
  14. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ДАН 444, 266 (2012)
  15. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. Изв. РАН. МТТ 2, 122 (2013)
  16. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ 56, 1457 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.