Издателям
Вышедшие номера
Молекулярно-пучковая эпитаксия и свойства гетероструктур с InAs нанокластерами в Si матрице
Денисов Д.В.1, Серенков И.Т.1, Сахаров В.И.1, Цырлин Г.Э.1,2, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: denisov@beam.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 18 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

Методами дифракции быстрых электронов на отражение, рассеяния ионов средних энергий и сканирующей электронной микроскопии исследованы процессы формирования гетероэпитаксиальных структур с InAs-нанокластерами в Si-матрице при молекулярно-пучковой эпитаксии, а также изменение параметров таких структур при термическом отжиге. Показано, что в определенном температурном диапазоне при осаждении InAs на Si(100)-поверхности происходит формирование четырехгранных нанопирамид с 111-ориентацией боковых граней. Установлена возможность последующего эпитаксиального заращивания InAs-наноостровков кремнием с постепенным сглаживанием трехмерного рельефа. Определено, что при отжиге в вакууме структуры Si(100) являются стабильными при температурах до 700oC. Настоящая работа выполнена при частичной финансовой поддержке научными программами Минпромнауки и технологии РФ и Российского фонда фундаментальных исследований.
  1. N.N. Ledentsov. Proc. 23th Int. Conf. Phys. Semiconductors / Ed. by M. Scheffler, R. Zimmermann. Berlin (1996). World Scientific, Singapoure (1996). Vol. 1. P. 19
  2. Г.Э. Цырлин, В.Н.Петров, В.Г. Дубровский, С.А. Масалов, А.О. Голубок, Н.И. Комяк, Н.Н. Леденцов, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. Письма в ЖТФ 24, 8, 10 (1998)
  3. N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Bohrer, O. Schmidt, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, Zh.I. Alferov, A.I. Borovkov, A.O. Kosogov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenreich. Phys. Rev. B 54, 8743 (1996)
  4. G.E. Cirlin, V.G. Talalaev, N.D. Zakharov, V.A. Egorov, P. Werner. Phys. Stat. Solid B232, R1--R3 (2002)
  5. S.N. Newstead, R.A.A. Kubiak, E.H.C. Parker. J. Cryst. Growth 81, 49 (1987)
  6. П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов. ФТП 22, 10 1729 (1988)
  7. W.-X. Ni, W.M. Chen, I.A. Buyanjva, A. Henry, G.V. Hansson, B. Monemar. J. Cryst. Growth 157, 242 (1995)
  8. C. Sasaoka, Y. Kato, A. Usui. Appl. Phys. Lett. 62, 2338 (1993)
  9. В.В. Афросимов, Г.О. Дзюба, Р.Н. Ильин, М.В. Панов, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, Е.А. Ганза. ЖТФ 66, 12, 76 (1996)
  10. G.D. Wilk, Yi Wei, Hal Edwards, R.M. Wallace. Appl. Phys. Lett. 70, 2288 (1997)
  11. E. Kasper, M. Bauer, M. Oehme. Thin Solid Films 321, 148 (1998)
  12. A. Ishizaka, Y. Shiraki. J. Electrochem. Soc. 666, 133 (1986)
  13. T. Mano, H. Fujioka, K. Ono, Y. Watanabe, M. Oshima. Appl. Surf. Sci. 130--132, 760 (1998)
  14. R.I.G. Uhrberg, R.D. Bringans, R.Z. Bachrach, J.E. Northrup. Phys. Rev. Lett. 65, 520 (1986)
  15. Г.Э. Цырлин, В.Н. Петров, Н.К. Поляков, С.А. Масалов, А.О. Голубок, Д.В. Денисов, Ю.А. Кудрявцев, Б.Я. Бер, В.М. Устинов. ФТП 33, 10, 1158 (1999)
  16. A.K. Ott, S.M. Casey, S.R. Leone. Surf. Sci. 405, 228 (1998)
  17. A.L. Alstrin, P.G. Strupp, S.R. Leone. Appl. Phys. Lett. 63, 815 (1993)
  18. A.N. Alexeev, S.Yu. Karpov, M.A. Maiorov, V.E. Myachin, Yu.V. Pogorelsky, I.A. Sokolov. J. Cryst. Growth 166, 167 (1996)
  19. В.В. Афросимов, Р.Н. Ильин, С.Ф. Карманенко, В.И. Сахаров, А.А. Семенов, И.Т. Серенков, Д.В. Яновский. ФТТ 41, 4, 588 (1999)
  20. D.J. Oostra, R.V. Smilgys, S.R. Leone. Appl. Phys. Lett. 55, 1333 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.