Изучение микроструктуры кристаллов Si, подвергнутых облучению быстрыми Н+-ионами и термообработке, методами высокоразрешающей трехкристальной рентгеновской дифрактометрии и электронной просвечивающей микроскопии
Асадчиков В.Е.1, Дьячкова И.Г.1, Золотов Д.А.1, Чуховский Ф.Н.1, Сорокин Л.М.2
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sig74@mail.ru
Поступила в редакцию: 29 мая 2019 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2019 г.
Были изучены структурные особенности образования радиационных дефектов в имплантированных протонами слоях кремниевых пластин в процессе их термической обработки. Из анализа результатов исследований методами высокоразрешающей трехкристальной рентгеновской дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии, получены новые данные о природе, характеристиках и концентрации микродефектов в кристаллах Si, облученных протонами с энергиями 100+200+300 keV, с общей дозой 2·1016 cm-2, и эволюции дефектной структуры при термообработке в широком диапазоне температур от 200 до 1100oС. Ключевые слова: кремний, ионы водорода, трехкристальная рентгеновская дифрактометрия, просвечивающая электронная микроскопия, постимплантационный отжиг, радиационные дефекты.
- W. Wesch, El. Wendler. Ion Beam Modification of Solids. Springer International Publishing, Switzerland (2016). 534 p
- K. Kurita, T. Kadono, R. Okuyama, S. Shigemastu, R. Hirose, A. Onaka-Masada, H. Okuda. Phys. Status Solidi A 214, 7, 1700216 (2017)
- M. Kulka. Current Trends in Boriding. Springer International Publishing (2019). 293 p
- L. Chi. Control of silver and silicon microstructure via low dose ion implantation. Doctoral dissertation. (2019)
- M.S. Miao, W. R.L. Lambrecht. Mater. Sci. Forum 527-529, 641 (2006)
- P. Deshpande, S. Vilayurganapathy, K.N. Bhat, A. Ghosh. Appl. Phys. A 125, 3, 181 (2019)
- M. Bruel. Electron. Lett. 31, 14, 1201 (1995)
- I.E. Tyschenko, V.P. Popov. Adv. Semicond. Nanostruct. 17, 409 (2017)
- M.J. Tadjer. ECS J. Solid State Sci. Technology 8., 7, 3187 (2019)
- T. Vogl. Nature Commun. 10, 1, 1202 (2019)
- M.S. Salem, A. Zekry, A. Shaker, M. Abouelatta-Ebrahim. Semicond. Sci. Technology 34, 3, (2019)
- П.А. Александров, Е.К. Баранова, И.В. Баранова, В.В. Бударагин, В.Л. Литвинов. Тр. XII Междунар. совещания "Радиационная физика твердого тела" / Под ред. Г.Г. Бондаренко. Севастополь, 1-6 июля 2002 г. НИИ ПМТ МГИЭМ (ТУ) М. 149 (2002)
- И.Г. Дьячкова, Е.Г. Новоселова, И.С. Смирнов. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 6, 108 (2018)
- А.М. Афанасьев, П.А. Александров, Р.М. Имамов. Рентгеновская структурная диагностика в исследовании приповерхностных слоев монокристаллов. Наука, M. (1986). 153 с
- В.Б. Молодкин, С.И. Олиховский, М.Е. Осиновский, В.В. Кочелоб, А.Ю. Казимиров, М.В. Ковальчук, Ф.Н. Чуховский. Металлофизика 6, 3, 7 (1984)
- L.A. Charniy, K.D. Scherbachev, V.T. Bublik. Phys. Status Solidi A 128, 2, 303 (1991)
- К.Д. Щербачев, В.Т. Бублик. Завод. лаборатория 60, 8, 28 (1994)
- P. Ehrhart, U. Schlagheck. J. Phys. F 4, 10, 1575 (1974)
- А.А. Ломов, В.А. Бушуев, Р.М. Имамов, К. Бокки, П. Францози. Кристаллография 44, 4, 674 (1999)
- М.А. Кривоглаз. Дифракция рентгеновских лучей и нейтронов в неидеальных кристаллах. Наук. думка, Киев. (1983). 407 с
- H. Trinkaus. Z. Ang. Phys. 31, 229 (1971)
- N. Hueging, K. Tillmann, M. Luysberg, H. Trinkaus, K.Urban. Inst. Phys. Conf. Ser. 180, 373 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
