Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Узкозонные гетероструктуры InAs1-ySby/InAsSbP (y=0.09-0.16) для спектрального диапазона 4-6 μm, полученные методом МОГФЭ
Переводная версия: 10.1134/S1063783419100305 
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: mkd@iropt2.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 20 мая 2019 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2019 г.
Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений были получены асимметричные гетероструктуры n-InAs/InAs1-ySby/p-InAsSbP с узкозонным активным слоем в интервале составов y=0.09-0.16. Электролюминесценция при комнатной температуре наблюдалась вплоть до длины волны λ=5.1 μm в максимуме спектра. Исследование спектров низкотемпературной электролюминесценции позволило установить существование двух каналов излучательной рекомбинации, обусловленных природой гетерограницы InAsSb/InAsSbP. Продемонстрировано влияние химии поверхности активного слоя на состав наращиваемого барьерного слоя и на формирование гетероперехода InAsSb/InAsSbP при увеличении концентрации сурьмы в твердом растворе InAsSb. Ключевые слова: антимониды, МОГФЭ, люминесценция, InAs, гетеропереходы.
- M. Fang, K.Y. Ma, D.H. Law, R.M. Cohen, G.B. Stringfellow. J. Appl. Phys. 67, 7034 (1990)
- S.S. Kizhayev, N.V. Zotova, S.S. Molchanov, B.V. Pushnyi, Yu.P. Yakovlev. J. Cryst. Growth 248, 296 (2003)
- A.N. Baranov, A.N. Imenkov, V.V. Sherstnev, Yu.P. Yakovlev. Appl. Phys. Lett. 64, 2480 (1994)
- M. Yin, A. Krier, R. Jones, S. Krier, D. Campbell. Proc. SPIE 6397, 639707 (2006)
- S.-H. Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B 52, 12039 (1995)
- М.М. Григорьев, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев. ФТП 45, 1386 (2011).
- Р. Хадсон. Инфракрасные системы. Мир, М. (1972). 536 с
- G.B. Stringfellow. J. Cryst. Growth 62, 225 (1983)
- Landolt-Bornstein. Handbook. Numerical Data. Ser. III. Springer, Berlin, Heidelberg. 17a / Ed. O. Madelung, (1982) 264 p.; 22a / Ed. K.-H. Hellwege, (1987) 305 p
- Y. Lacroix, C.A. Tran, S.P. Watkins, M.L.W. Thewalt. J. Appl. Phys. 80, 6416 (1996)
- M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, Yu.P. Yakovlev. Semicond. Sci. Technol. 19, R109 (2004)
- К.Д. Моисеев, В.В. Романов, Ю.А. Кудрявцев. ФТТ 58, 2203 (2016)
- G.B. Stringfellow. Organometallic Vapor-Phase Epitaxy: Theory and Practice. 2nd ed. Academic Press, San Diego, USA. (1999) 599 p
- J.H. van der Merwe. Phys. Rev. B 37, 2892 (1988)
- T. Fukui, Y. Horikoshi. Jpn. J. Appl. Phys. 19, L53 (1980).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
