Спектральный фоторезистивный эффект поля в кристаллах CdS при низких температурах
Батырев А.С.1, Бисенгалиев Р.А.1, Жукова Н.В.1, Новиков Б.В., Читыров Э.И.
1Калмыцкий государственный университет, Элиста, Россия Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петродворец, Россия
Email: chityrov@mail.ru
Поступила в редакцию: 18 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.
С использованием метода эффекта поля экспериментально исследована роль приповерхностного электрического поля в формировании низкотемпературных (T=77 K) спектров фотопроводимости (ФП) кристаллов CdS в области экситонных и межзонных переходов. Выполнены численные расчеты спектров ФП полупроводника в модели, учитывающей зависимость темпа поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда от электрического поля на его поверхности. Показана определяющая роль приповерхностного электрического поля в формировании тонкой структуры спектров, обусловленной экситонами. Установлена связь между ее типом и характером приповерхностного изгиба энергетических зон. Продемонстрирована принципиальная возможность оценки поверхностного электрического поля по форме спектральной кривой низкотемпературной ФП полупроводника.
- Е.Ф. Гросс, Б.В. Новиков. ФТТ 1, 3, 357 (1959)
- А.С. Батырев, Р.А. Бисенгалиев, О.Э. Ботов, Н.В. Карасенко, Б.В. Новиков, Е.В. Сумьянова. ФТТ 40, 5, 941 (1998)
- А.С. Батырев, Э.Д. Батырев, Р.А. Бисенгалиев, Б.В. Новиков, В.С. Анбушинов. ФТТ 41, 7, 1181 (1999)
- D.W. Nyberg, K. Colbow. Can. J. Phys. 45, 2833 (1967)
- В.А. Киселев, Б.В. Новиков, А.Е. Чередниченко. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников. Изд-во ЛГУ, Л. (1987). 160 с
- Физика и химия соединений AIIBVI / Пер. с англ. под ред. С.А. Медведева. Мир, М. (1970). 624 с
- В.Е. Лашкарев, Е.А. Сальков, В.А. Хвостов. В сб.: Тр. IX Междунар. конф. по физике полупроводников. М. (1968). Наука, Л. (1969). С. 501
- J. Voigt, E. Ost. Phys. Stat. Sol. 33, 381 (1969)
- V.E. Lashkarev, E.A. Sal'kov, V.A. Khvostov. Proc. 3 rd Int. Conf. Photoconductivity. Stanford, USA (1969). P. 111
- K. Colbow, A. Jmaeff, K. Yuen. Can. J. Phys. 48, 57 (1970)
- Y. Toyozawa. Techn. Rep. ISSP. SA-119, 3 (1964)
- С.А. Пермогоров. В кн.: Физика соединений AIIBVI / Под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана. Наука, М. (1986)
- H. Fujita, K. Kobayashi, T. Kowai, K. Shiga. J. Phys. Soc. Jap. 20, 1, 109 (1965)
- J.A. Bragagnolo, K.W. Boer. Phys. Stat. Sol. (a) 21, 291 (1974)
- Н.Б. Лукьянчикова. Флуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах. Радио и связь, М. (1990). 295 с
- В.М. Леонов, А.Г. Молчанов, Ю.М. Попов, Г.Х. Талат. ФТП 10, 8, 1434 (1976)
- А.В. Ржанов. Электронные процессы на поверхности полупроводников. Наука, М. (1971). 480 с
- Е. Гуче. В сб.: Тр. IX Междунар. конф. по физике полупроводников. М. (1968). Наука, Л. (1969). С. 1223
- J.A. Bragagnolo, G.M. Storti, K.W. Boer. Phys. Stat. Sol. (a) 24, 147 (1974)
- Г.Л. Бир. ФТТ 1, 1, 67 (1959)
- Р. Смит. Полупроводники. Мир, М. (1982). 558 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук