Издателям
Вышедшие номера
Спектральный фоторезистивный эффект поля в кристаллах CdS при низких температурах
Батырев А.С.1, Бисенгалиев Р.А.1, Жукова Н.В.1, Новиков Б.В., Читыров Э.И.
1Калмыцкий государственный университет, Элиста, Россия Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петродворец, Россия
Email: chityrov@mail.ru
Поступила в редакцию: 18 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

С использованием метода эффекта поля экспериментально исследована роль приповерхностного электрического поля в формировании низкотемпературных (T=77 K) спектров фотопроводимости (ФП) кристаллов CdS в области экситонных и межзонных переходов. Выполнены численные расчеты спектров ФП полупроводника в модели, учитывающей зависимость темпа поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда от электрического поля на его поверхности. Показана определяющая роль приповерхностного электрического поля в формировании тонкой структуры спектров, обусловленной экситонами. Установлена связь между ее типом и характером приповерхностного изгиба энергетических зон. Продемонстрирована принципиальная возможность оценки поверхностного электрического поля по форме спектральной кривой низкотемпературной ФП полупроводника.
  1. Е.Ф. Гросс, Б.В. Новиков. ФТТ 1, 3, 357 (1959)
  2. А.С. Батырев, Р.А. Бисенгалиев, О.Э. Ботов, Н.В. Карасенко, Б.В. Новиков, Е.В. Сумьянова. ФТТ 40, 5, 941 (1998)
  3. А.С. Батырев, Э.Д. Батырев, Р.А. Бисенгалиев, Б.В. Новиков, В.С. Анбушинов. ФТТ 41, 7, 1181 (1999)
  4. D.W. Nyberg, K. Colbow. Can. J. Phys. 45, 2833 (1967)
  5. В.А. Киселев, Б.В. Новиков, А.Е. Чередниченко. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников. Изд-во ЛГУ, Л. (1987). 160 с
  6. Физика и химия соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=- / Пер. с англ. под ред. С.А. Медведева. Мир, М. (1970). 624 с
  7. В.Е. Лашкарев, Е.А. Сальков, В.А. Хвостов. В сб.: Тр. IX Междунар. конф. по физике полупроводников. М. (1968). Наука, Л. (1969). С. 501
  8. J. Voigt, E. Ost. Phys. Stat. Sol. 33, 381 (1969)
  9. V.E. Lashkarev, E.A. Sal'kov, V.A. Khvostov. Proc. 3 rd Int. Conf. Photoconductivity. Stanford, USA (1969). P. 111
  10. K. Colbow, A. Jmaeff, K. Yuen. Can. J. Phys. 48, 57 (1970)
  11. Y. Toyozawa. Techn. Rep. ISSP. SA-119, 3 (1964)
  12. С.А. Пермогоров. В кн.: Физика соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=- / Под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана. Наука, М. (1986)
  13. H. Fujita, K. Kobayashi, T. Kowai, K. Shiga. J. Phys. Soc. Jap. 20, 1, 109 (1965)
  14. J.A. Bragagnolo, K.W. Boer. Phys. Stat. Sol. (a) 21, 291 (1974)
  15. Н.Б. Лукьянчикова. Флуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах. Радио и связь, М. (1990). 295 с
  16. В.М. Леонов, А.Г. Молчанов, Ю.М. Попов, Г.Х. Талат. ФТП 10, 8, 1434 (1976)
  17. А.В. Ржанов. Электронные процессы на поверхности полупроводников. Наука, М. (1971). 480 с
  18. Е. Гуче. В сб.: Тр. IX Междунар. конф. по физике полупроводников. М. (1968). Наука, Л. (1969). С. 1223
  19. J.A. Bragagnolo, G.M. Storti, K.W. Boer. Phys. Stat. Sol. (a) 24, 147 (1974)
  20. Г.Л. Бир. ФТТ 1, 1, 67 (1959)
  21. Р. Смит. Полупроводники. Мир, М. (1982). 558 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.