Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2003, выпуск 11 » Статья стр. 1954
<<<>>>
Моделирование температурной зависимости энергии ионизации водородоподобных примесей в полупроводниках: применение к трансмутационно легированному Ge : Ga
Поклонский Н.А.1, Вырко С.А.1, Забродский А.Г.2, Егоров С.В.2
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: poklonski@bsu.by
Поступила в редакцию: 1 апреля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.
PDF версия
Развита электростатическая модель, описывающая зависимость термической энергии ионизации (ТЭИ) примесей от их концентрации, степени компенсации и температуры. Модель учитывает экранирование ионов прыгающими по примесям дырками (электронами), изменение ширины примесной зоны, а также смещение ее положения относительно края v-зоны для акцепторов (c-зоны для доноров). Смещение примесной зоны обусловлено функциональной зависимостью энергии сродства ионизированного акцептора к дырке (донора к электрону) от экранирования кулоновских полей ионов. Пространственное распределение ионов примесей по кристаллу принималось пуассоновским, а энергетическое - нормальным (гауссовым). Для исследованных (относительно невысоких) уровней легирования ход плотности состояний на краях v- и c-зон предполагался таким же, как и у нелегированного кристалла. Результаты численного моделирования согласуются с наблюдаемым на умеренно компенсированном Ge : Ga уменьшением энергии ионизации с температурой и уровнем легирования. При малых степенях компенсации предсказывается существование небольшого аномального максимума в температурной зависимости ТЭИ. Работа поддержана Белорусским республиканским фондом фундаментальных исследований (грант Ф01-199) и Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 01-02-17813 и 00-15-96750).
  1. Е.В. Кучис. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. Радио и связь, М. (1990)
  2. Н.А. Поклонский, А.И. Сягло, Г. Бискупски. ФТП 33, 415 (1999)
  3. Н.А. Поклонский, А.И. Сягло. ФТП 33, 402 (1999)
  4. В. Штиллер. Уравнение Аррениуса и неравновесная кинетика. Мир, М. (2000)
  5. В. Эбелинг, В. Крефт, Д. Кремп. Теория связанных состояний и ионизационного равновесия в плазме и твердом теле. Мир, М. (1979)
  6. S.K. Chun. J. Appl. Phys. 80, 4773 (1996)
  7. Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках. Мир, М. (1964)
  8. Б.И. Болтакс, М.К. Бахадырханов, С.М. Городецкий, Г.С. Куликов. Компенсированный кремний. Наука, Л. (1972)
  9. А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. Мир, М. (1977)
  10. В.О. Барисс, Э.Э. Клотыньш. Определение параметров локального уровня в полупроводниках. Зинатне, Рига (1978)
  11. J.H. Nevin, H.T. Henderson, K.L. Shen. Mater. Res. Bull. 17, 1111 (1982)
  12. А.Г. Андреев, В.В. Воронков, Г.И. Воронкова, А.Г. Забродский, Е.А. Петрова. ФТП 29, 2218 (1995)
  13. А.Г. Андреев, А.Г. Забродский, И.П. Звягин, С.В. Егоров. ФТП 31, 1174 (1997)
  14. А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек. ФТП 34, 46 (2000)
  15. M.N. Alexander, D.F. Holcomb. Rev. Mod. Phys. 40, 815 (1968)
  16. М.В. Алексеенко, А.Г. Забродский, М.П. Тимофеев. ФТП 21, 810 (1987)
  17. T. Tshepe, J.F. Prins, M.J.R. Hoch. Diamond and Related Materials 8, 1508 (1999)
  18. H. Sternschulte, T. Albrecht, K. Thonke, R. Sauer. 23rd Int. Conf. The Physics of Semiconductors. Berlin, Germany (1996). World Scientific, Singapore (1996). Vol. 1. P. 169
  19. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ФТП 14, 825 (1980)
  20. Ю.Я. Ткач, Е.В. Ченский. ЖЭТФ 102, 1683 (1992)
  21. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. Наука, М. (1990)
  22. K. Seeger. Semiconductor physics: An introduction. Springer, Berlin (1999)
  23. А.Г. Забродский, М.В. Алексеенко. ФТП 28, 168 (1994)
  24. Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников / Под ред. Дж. Миза. Мир, М. (1982)
  25. И.С. Шлимак. ФТТ 41, 794 (1999)
  26. Дж. Займан. Модели беспорядка. Мир, М. (1982)
  27. Т.М. Лифшиц. ПТЭ 1, 10 (1993)
  28. Semiconductors--Basic Data / Ed. by O. Madelung. Springer, Berlin (1996)
  29. Handbook Series on Semiconductor Parameters / Ed. by M. Levinstein, S. Rumyantsev, M. Shur. World Scientific, Singapore (1996). Vol. 1; World Scientific, Singapore (1999). Vol. 2
  30. В.С. Вавилов. УФН 167, 17 (1997)
  31. A.G. Zabrodskii, A.G. Andreev, S.V. Egorov. Phys. Stat. Sol. (b) 205, 61 (1998)
  32. Н.А. Поклонский. Изв. вузов. Физика 27, 41 (1984)
  33. И.С. Шлимак, В.В. Емцев. Письма в ЖЭТФ 13, 153 (1971)
  34. N.A. Poklonski, V.F. Stelmakh, V.D. Tkachev, S.V. Voitikov. Phys. Stat. Sol. (b) 88, K165 (1978)
  35. А.А. Узаков, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ 81, 1940 (1981)
  36. Н.В. Лиен, Б.И. Шкловский. ФТП 13, 1763 (1979)
  37. Л.В. Говор, В.П. Добрего, Н.А. Поклонский. ФТП 18, 2075 (1984)
  38. А.А. Узаков, А.Л. Эфрос. ФТП 21, 922 (1987)
  39. H.-J. Hoffmann. Appl. Phys. 19, 307 (1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme