В рамках двух физически различных подходов (твердотельном и квантово-химическом) рассмотрена адсорбция атомарного азота и молекул азота и аммиака на карбиде кремния. В твердотельной подходе с использованием модели Халдейна-Андерсона для плотности состояний 4H и 6H политипов SiC показано, что энергии связи атомов N и молекулы N₂ с подложкой равны 6 и 3 eV соответственно. В квантово-химическом подходе в модели двухатомной поверхностной молекулы для энергии связи атомарного азота получены величины, равные 6 eV для адсорбции на C-грани и 4 eV для адсорбции на Si-грани. Установлено, что во всех рассмотренных случаях переходом заряда между адсорбатом и подложкой можно пренебречь. Высказано предположение, что, как и в случае адсорбции аммиака на Si(100), для карбида кремния имеет место диссоциация молекулы с последующей пассивацией оборванных sp³-орбиталей карбида кремния атомами водорода. Ключевые слова: модель Халдейна-Андерсона, модель поверхностной молекулы, переход заряда, энергия адсорбции.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.