Методами ab initio изучены два основных политипных превращения в карбиде кремния, а именно, 2H-> 6H и 3C-> 6H. Показано, что промежуточные фазы с тригональной симметрией P3m1 и моноклинной симметрией Cm сильно облегчают перемещения плотноупакованных слоев при таких переходах, разбивая их на отдельные стадии. Обнаружено, что два данных политипных превращения протекают совершенно по-разному. При переходе 2H-> 6H перемещаемые связи заметно наклоняются по сравнению с исходным положением, что позволяет уменьшить сжатие связей SiC в плоскости (11 20). Переход 3C-> 6H осуществляется посредством образования вспомогательных связей Si-Si и С-С, живущих короткое время и помогающих плотноупакованным слоям поменяться местами. В результате активационный барьер превращения 2H-> 6H (1.7 eV/atom) существенно меньше активационного барьера превращения 3C-> 6H (3.6 eV/atom), что означает, что второй переход должен протекать при температурах на 750-800^oC выше, чем первый. Рассчитаны энергетические профили данных политипных превращений, а также геометрии всех промежуточных и переходных фаз. Показано, что все переходные состояния имеют моноклинную симметрию. Ключевые слова: фазовые переходы, политипы, карбид кремния, метод упругих лент, метод функционала плотности.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.