Вышедшие номера
Об изменении реальной структуры кристаллов кремния, имплантированных ионами водорода, при их отжиге по данным трехкристальной рентгеновской дифрактометрии
Переводная версия: 10.1134/S1063783419080079
Асадчиков В.Е.1, Дьячкова И.Г.1, Золотов Д.А.1, Чуховский Ф.Н.1, Сорокин Л.М.2
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sig74@mail.ru
Поступила в редакцию: 22 марта 2019 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2019 г.

Представлены результаты исследования методом трехкристальной рентгеновской дифрактометрии (ТРД) состояния нарушенного слоя в кристаллах кремния, сформированного путем имплантации ионов водорода с энергиями 100+200+300 keV, с общей дозой 2·1016 cm-2 при последующей термической обработке в интервале температур от 200 до 1100oC. Рентгеновские исследования в данной работе проводились методом ТРД в схеме, когда исследуемый образец выступает в качестве второго неподвижного кристалла с различными фиксированными угловыми отстройками alpha от положения Брэгга, а третий (совершенный) кристалл-анализатор осуществляет развертку углового распределения излучения, дифрагированного вторым кристаллом. Из сравнения формы дифракционных и диффузных максимумов для исследуемых образцов был сделан качественный вывод о значительной трансформации радиационных дефектов в процессе постимплантационного отжига. Ключевые слова: кремний, ионы водорода, трехкристальная рентгеновская дифрактометрия, радиационные дефекты, постимплантационный отжиг.