Зарядовое упорядочение, индуцированное собственными дефектами в субмонослоях типа Sn / Ge(111) со степенью покрытия, близкой к 1/3
Меньшов В.Н.1, Тугушев В.В.1
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: vvtugushev@mail.ru
Поступила в редакцию: 19 августа 2002 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2003 г.
Предложена термодинамическая модель формирования структуры с волной зарядовой плотности (ВЗП) типа (3x 3), возникающей на фоне структуры типа l(3x3r)R300 в субмонослое металла IV группы (Sn, Pb), адсорбированного со степенью покрытия ~ 1/3 на поверхности (111) полупроводника (Ge, Si). Расчеты проведены в рамках самосогласованной теории для статических флуктуаций амплитуды параметра порядка. Показано, что низкосимметричная фаза (3x 3) может зарождаться на точечных дефектах субмонослоя в виде зарядово-упорядоченных областей конечного радиуса. Рассчитаны пространственная конфигурация ВЗП и ее температурная зависимость. Полученные результаты сопоставляются с экспериментальными данными для системы Sn / Ge(111). Работа выполнена в рамках научно-исследовательского проекта Минпромнауки РФ по теме "Наноэлектроника".
- G. Santoro, S. Scandolo, E. Tosatti. Phys. Rev. B 59, 3, 1891 (1999)
- S. Sokolowski, K. Binder, A. Patrykiejew. Surf. Sci. Rep. 37, 6--8, 207 (2000)
- L. Peterson, A. Ismail, E.W. Plummer. Phys. Rev. Lett. 88, 18, 189 701 (2002)
- T.E. Kidd, T. Miller, M.Y. Chou, T.-C. Chiang. Phys. Rev. Lett. 88, 18, 189 702 (2002)
- M. Авиньон, В.Н. Меньшов, В.В. Тугушев. ФТТ 43, 3, 543 (2001)
- J. Ortega, R. Perez, F. Flores. J. Phys. C12, 1, L21 (2000)
- T.E. Kidd, T. Miller, M.Y. Chou, T.-C. Chiang. Phys. Rev. Lett. 85, 17, 3684 (2000)
- A.V. Melechko, J. Braun, H.H. Weitering, E.W. Plummer. Phys. Rev. B 61, 3, 2235 (2000)
- M. Barber. Phys. Rep. 59, 6, 375 (1980); J.M. Kosterletz, K.J. Thouless. Progr. Low Temp. Phys. 7B, 2, 371 (1978)
- Е.А. Жуковский, В.В. Тугушев. Письма в ЖЭТФ 60, 4, 267 (1994)
- А.П. Леванюк, В.В. Осипов, А.С. Сигов, А.А. Собянин. ЖЭТФ 76, 1, 345 (1979)
- K. Murata, S. Doniach. Phys. Rev. Lett. 29, 2, 285 (1972); G.G. Lonzarich, L. Taillefer. J. Phys. C 18, 22, 4339 (1985)
- J. Carpinelly, H.H. Weitering, M. Bartowiak, R. Stumpf, E.W. Plummer. Phys. Rev. Lett. 79, 15, 2859 (1997)
- A.V. Melechko, J. Braun, H.H. Weitering, E.W. Plummer. Phys. Rev. Lett. 83, 5, 999 (1999)
- T. Kidd, T. Miller, T.-C. Chiang. Phys. Rev. Lett. 83, 14, 2789 (1999)
- H. Morikawa, I. Matsuda, S. Hasegava. Phys. Rev. B 65, 20, 201 308 (2002)
- S.S. Lee, J.R. Ahn, N.D. Kim, J.H. Min, C.G. Hwang, J.W. Chung, H.W. Yeom, S.V. Ryjkov, S. Hasegawa. Phys. Rev. Lett. 88, 19, 196 401 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.