Издателям
Вышедшие номера
Зарядовое упорядочение, индуцированное собственными дефектами в субмонослоях типа Sn / Ge(111) со степенью покрытия, близкой к 1/3
Меньшов В.Н.1, Тугушев В.В.1
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: vvtugushev@mail.ru
Поступила в редакцию: 19 августа 2002 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2003 г.

Предложена термодинамическая модель формирования структуры с волной зарядовой плотности (ВЗП) типа (3x 3), возникающей на фоне структуры типа l(3x3r)R300 в субмонослое металла IV группы (Sn, Pb), адсорбированного со степенью покрытия ~ 1/3 на поверхности (111) полупроводника (Ge, Si). Расчеты проведены в рамках самосогласованной теории для статических флуктуаций амплитуды параметра порядка. Показано, что низкосимметричная фаза (3x 3) может зарождаться на точечных дефектах субмонослоя в виде зарядово-упорядоченных областей конечного радиуса. Рассчитаны пространственная конфигурация ВЗП и ее температурная зависимость. Полученные результаты сопоставляются с экспериментальными данными для системы Sn / Ge(111). Работа выполнена в рамках научно-исследовательского проекта Минпромнауки РФ по теме "Наноэлектроника".
  1. G. Santoro, S. Scandolo, E. Tosatti. Phys. Rev. B 59, 3, 1891 (1999)
  2. S. Sokolowski, K. Binder, A. Patrykiejew. Surf. Sci. Rep. 37, 6--8, 207 (2000)
  3. L. Peterson, A. Ismail, E.W. Plummer. Phys. Rev. Lett. 88, 18, 189 701 (2002)
  4. T.E. Kidd, T. Miller, M.Y. Chou, T.-C. Chiang. Phys. Rev. Lett. 88, 18, 189 702 (2002)
  5. M. Авиньон, В.Н. Меньшов, В.В. Тугушев. ФТТ 43, 3, 543 (2001)
  6. J. Ortega, R. Perez, F. Flores. J. Phys. C12, 1, L21 (2000)
  7. T.E. Kidd, T. Miller, M.Y. Chou, T.-C. Chiang. Phys. Rev. Lett. 85, 17, 3684 (2000)
  8. A.V. Melechko, J. Braun, H.H. Weitering, E.W. Plummer. Phys. Rev. B 61, 3, 2235 (2000)
  9. M. Barber. Phys. Rep. 59, 6, 375 (1980); J.M. Kosterletz, K.J. Thouless. Progr. Low Temp. Phys. 7B, 2, 371 (1978)
  10. Е.А. Жуковский, В.В. Тугушев. Письма в ЖЭТФ 60, 4, 267 (1994)
  11. А.П. Леванюк, В.В. Осипов, А.С. Сигов, А.А. Собянин. ЖЭТФ 76, 1, 345 (1979)
  12. K. Murata, S. Doniach. Phys. Rev. Lett. 29, 2, 285 (1972); G.G. Lonzarich, L. Taillefer. J. Phys. C 18, 22, 4339 (1985)
  13. J. Carpinelly, H.H. Weitering, M. Bartowiak, R. Stumpf, E.W. Plummer. Phys. Rev. Lett. 79, 15, 2859 (1997)
  14. A.V. Melechko, J. Braun, H.H. Weitering, E.W. Plummer. Phys. Rev. Lett. 83, 5, 999 (1999)
  15. T. Kidd, T. Miller, T.-C. Chiang. Phys. Rev. Lett. 83, 14, 2789 (1999)
  16. H. Morikawa, I. Matsuda, S. Hasegava. Phys. Rev. B 65, 20, 201 308 (2002)
  17. S.S. Lee, J.R. Ahn, N.D. Kim, J.H. Min, C.G. Hwang, J.W. Chung, H.W. Yeom, S.V. Ryjkov, S. Hasegawa. Phys. Rev. Lett. 88, 19, 196 401 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.