Вышедшие номера
Зарядовое упорядочение, индуцированное собственными дефектами в субмонослоях типа Sn / Ge(111) со степенью покрытия, близкой к 1/3
Меньшов В.Н.1, Тугушев В.В.1
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: vvtugushev@mail.ru
Поступила в редакцию: 19 августа 2002 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2003 г.

Предложена термодинамическая модель формирования структуры с волной зарядовой плотности (ВЗП) типа (3x 3), возникающей на фоне структуры типа l(3x3r)R300 в субмонослое металла IV группы (Sn, Pb), адсорбированного со степенью покрытия ~ 1/3 на поверхности (111) полупроводника (Ge, Si). Расчеты проведены в рамках самосогласованной теории для статических флуктуаций амплитуды параметра порядка. Показано, что низкосимметричная фаза (3x 3) может зарождаться на точечных дефектах субмонослоя в виде зарядово-упорядоченных областей конечного радиуса. Рассчитаны пространственная конфигурация ВЗП и ее температурная зависимость. Полученные результаты сопоставляются с экспериментальными данными для системы Sn / Ge(111). Работа выполнена в рамках научно-исследовательского проекта Минпромнауки РФ по теме "Наноэлектроника".