Вышедшие номера
Фотоэлектронные Si 2p-спектры сверхтонких слоев CoSi2, сформированных на поверхности Si(100)2x1
Гомоюнова М.В.1, Пронин И.И.1, Галль Н.Р.1, Молодцов С.Л.1, Вялых Д.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Marina.Gomoyunova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 декабря 2002 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2003 г.

Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого разрешения (~ 140 meV) с использованием синхротронного излучения (hnu=130 eV) исследован процесс твердофазного синтеза сверхтонких слоев CoSi2 на поверхности кремния Si(100)2x1. Изучена эволюция Si 2p-спектров как при нанесении кобальта на поверхность образцов, находящихся при комнатной температуре, так и при последующем их отжиге. Показано, что адсорбция Со на Si(100)2x1 сопровождается утратой реконструкции исходной поверхности кремния, но не приводит к формированию стабильной CoSi2-подобной фазы. При дальнейшем росте количества напыленного кобальта (в диапазоне до шести монослоев) на поверхности кремния с хемосорбированным кобальтом растет несплошная пленка твердого раствора Co-Si. Твердофазная реакция образования CoSi2 начинается при температуре, близкой к 250oC, а завершается после отжига образцов до температуры ~ 350oC. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 01-02-17288), МПНТ (Госконтракт N 40.012.1.1.1152) и Российско-германской лаборатории на BESSY II.