Издателям
Вышедшие номера
Образование дислокационных пар в гетероструктуре Ge/GeSi/Si(001)
Переводная версия: 10.1134/S1063783419020094
Российский научный фонд, Центры коллективного пользования, 14-22-00143
Болховитянов Ю.Б.1, Гутаковский А.К.1, Дерябин А.И.1, Соколов Л.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: bolkh@isp.nsc.ru, gut@isp.nsc.ru, das@isp.nsc.ru, sokolov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 21 мая 2018 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.

В гетероструктурах (ГС) Ge/LTGe/GeSi/Si(001) буферный слой GeSi в определенном диапазоне параметров ГС и режимов их роста остается псевдоморфным, в то время как пленка Ge полностью релаксирована за счет сетки краевых дислокаций, расположенной на границе раздела Ge/GeSi. В работе экспериментально показано, что наряду с краевыми дислокациями образуются дислокации с векторами Бюргерса типа a0<100>. Их формирование обусловлено реакцией 60o-х дислокаций, имеющих однонаправленную винтовую компоненту. При этом, если в процессе релаксации буферного слоя краевые дислокации расщеплялись с образованием дислокационного комплекса краевого типа, в котором 60o-е дислокации оставались связанными, то дислокации с векторами Бюргерса a0<001> расщеплялись на две независимые 60o-е дислокации. Электронно-микроскопические исследования проводились на оборудовании ЦКП "Наноструктуры" при поддержке Российского научного фонда (грант N 14-22-00143).
  1. W.M. Lomer. Phil. Mag. 42, 1327 (1951)
  2. S. Mader, A.E. Blakeslee, J. Angilello. J. Appl. Phys. 45, 4730 (1974)
  3. E.P. Kvam, D.M. Maher, C.J. Humpreys. J. Mater. Res. 5, 1900 (1990)
  4. M. Ishimura, J. Narayan. Phil. Mag. A 72, 281 (1995)
  5. J. Hornstra. J. Phys. Chem. Solid 5, 129 (1958)
  6. J. Narayan, S. Oktyabrsky. J. Appl. Phys. 92, 7122 (2002)
  7. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. Acta Mater. 61, 617 (2013)
  8. Ю.Б. Болховитянов, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин, Л.В. Соколов. ЖЭТФ 150, 5 (11), 955 (2016)
  9. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. J. Crystal Growth 483, 265 (2018)
  10. Yi Wang, P. Ruterana, S. Kret, J. Chen, S. El Kazzi, L. Desplanque, X. Wallart. Appl. Phys. Lett. 100, 262110 (2012)
  11. S. Oktyabrsky, J. Narayan. MRS Proc. 399, 443 (1996)
  12. M.J. Hytch, E. Snoeck, R. Kilaas. Ultramicroscopy 74, 131 (1998)
  13. S. Kret, P. Ruterana, A. Rosenauer, D. Gerthsen. Phys. Status Solidi B 227, 247 (2001)
  14. А.К. Гутаковский, А.Л. Чувилин, С.А. Сонг. Доклады РAH. Физика 71, 1426 (2007). [Available at https://www.researchgate.net/publication/225617264.]
  15. Y.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. Acta Mater. 61, 5400 (2013)
  16. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. Thin Solid Films 616, 348 (2016)
  17. A. Vila, A. Cornet, J.R. Morante. Appl Phys Lett. 68, 1244 (1996)
  18. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. J. Crystal Growth 293, 247 (2006)
  19. R.S. Goldman, K.L. Kavanagh, H.H. Wieder, S.N. Ehrlich, R.M. Feenstra. J. Appl. Phys. 83, 5137 (1998)
  20. F.C. Frank. Physika 15, 131 (1949)
  21. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. ФТТ 52, 1, 32 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.