Приведены результаты исследования тонких пленок Bi₄Ti₃O₁₂ толщиной 400-450 nm с различной ориентацией кристаллитов относительно нормали к плоскости подложки (100)Si. Установлено, что ориентацией кристаллитов можно управлять, варьируя состав подслоя Ba_xSr_1-xTiO₃ толщиной 4 nm. Использование Ba_0.4Sr_0.6TiO₃ в качестве подслоя приводит к росту пленки Bi₄Ti₃O₁₂ в монокристаллическом состоянии с плоскостью (001) параллельной плоскости подложки и с моноклинным искажением кристаллической структуры. Показано, что подслой Ba_0.8Sr_0.2TiO₃ приводит к формированию в пленке Bi₄Ti₃O₁₂ четырех ориентаций кристаллитов: (111), (117), (100) и (110) и к образованию в пленке двух групп доменов. Первая - с направлением поляризации перпендикулярно подложке и вторая - с поляризацией, направленной в интервале углов 45.2-57^o относительно нормали к подложке. Показано, что в пленке Bi₄Ti₃O₁₂ с подслоем Ba_0.8Sr_0.2TiO₃ поляризация направлена к подложке и переключается в новое устойчивое состояние с направлением поляризации от подложки при приложении внешнего напряжения больше критического (4 V). Исследование выполнено в рамках реализации Государственного задания по проекту N 0120-1354-247 и при поддержке РФФИ (грант N 16-29-14013).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.