Вышедшие номера
Проявление эффектов магнитного упорядочения в проводимости и намагниченности полупроводниковых гетероструктур на основе GaAs при изменении концентрации дельта-слоя примесей марганца
Переводная версия: 10.1134/S1063783418120211
Моисеев К.Д. 1, Кудрявцев Ю.А. 2, Чарикова Т.Б.3,4, Луговых А.М.3, Говоркова Т.Е.3, Окулов В.И.3,4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Национальный политехнический институт --- СИНВЕСТАВ, Мехико, Мексика
3Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
4Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
Email: mkd@iropt2.ioffe.ru, yuriyk@cinvestav.mx
Поступила в редакцию: 25 января 2018 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.

На основе анализа магнитополевых и температурных зависимостей, гальваномагнитных эффектов и намагниченности проведено исследование характерных проявлений магнитного упорядочения и проводимости в полупроводниковых гетероструктурах с квантовой ямой GaAs : Be/Ga0.84In0.16As/GaAs и delta-слоями марганца различной толщины (0.4-2 монослоя). Наблюдалась аномальная зависимость проводимости от концентрации атомов марганца в delta-слое, обусловленная сильным рассеянием носителей заряда в структурах с низким содержанием магнитных примесей. Магнитные свойства гетероструктур содержали прямые свидетельства магнитного упорядочения примесной системы (насыщение и гистерезис намагниченности, проявление закона Кюри-Вейса при повышении температуры). Параметры магнитной подсистемы позволили выявить различный характер упорядочения систем с разной концентрацией магнитной примеси. Было показано, что изменение концентрации примеси Mn в delta-слое существенно влияет на проводящие свойства и магнетизм исследуемых структур. Работа выполнена в рамках государственного задания по теме Электрон" N АААА-А18-118020190098-5 и проекта N 18-10-2-6 Программы УрО РАН при поддержке РФФИ (грант N 18-02-00192).
  1. H. Ohno, A. Shen, F. Matsukura, A. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto, Y. Iye. Appl. Phys. Lett. 69, 363 (1996)
  2. F. Matsukura, H. Ohno, T. Dietl. III-V Ferromagnetic Semiconductors, Handbook of Magnetic Materials 14 / Ed. K.H.J. Buschow. Elsevier, Amsterdam (2002). P. 1--87
  3. T. Dietl, H. Ohno. Rev. Mod. Phys. 86, 187 (2014)
  4. A.M. Nazmul, T. Amemiya, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Tanaka. Phys. Rev. Lett. 95, 017201 (2005)
  5. А.М. Луговых, Т.Б. Чарикова, В.И. Окулов, К.Д. Моисеев, Ю.А. Кудрявцев. ФТТ 58, 2160 (2016)
  6. К.Д. Моисеев, В.Н. Неведомский, Yu. Kudriavstev, A. Escobosa-Echavarria, M. Lopez-Lopez. ФТП 51, 1189 (2017)
  7. A.M. Nazmul, S. Sugahara, M. Tanaka. J. Cryst. Growth 251, 303 (2003)
  8. M. Shirai, T. Ogawa, I. Kitagawa, N. Suzuki. J. Magn. Magn. Mater. 177, 1383 (1998)
  9. В.Ю. Ирхин, М.И. Кацнельсон, УФН 164, 705 (1994)
  10. Т. Мория, Спиновые флуктуации в магнетиках с коллективизированными электронами Мир, М. (1988)
  11. V.N. Men'shov V.V. Tugushev, S. Caprara, P.M. Echenique, E.V. Chulkov. Phys. Rev. B 80, 035315 (2009)
  12. S. Caprara, V.V. Tugushev, E.V. Chulkov. Phys. Rev. B 84, 085311 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.