Издателям
Вышедшие номера
Сверхпроводящие свойства In, наноструктурированного в порах тонких пленок из микросфер SiO2
Переводная версия: 10.1134/S1063783418100207
Михайлин Н.Ю.1, Романов С.Г.1, Кумзеров Ю.А.1, Фокин А.В.1, Шамшур Д.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mikhailin.nik@gmail.com
Поступила в редакцию: 16 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.

Впервые получены образцы сверхпроводящего индиевого нанокомпозита на основе тонкопленочной пористой диэлектрической матрицы, приготовленной методом Лэнгмюра-Блоджетт, изучены их низкотемпературные электрофизические и магнитные свойства. Пленки толщиной b≤5 mum изготавливались из сфер оксида кремния диаметром D=200 nm и 250 nm, индий вводился в поры пленок из расплава под давлением P≤5 kbar. Таким образом в порах создавалась трехмерная слабоупорядоченная структура наногранул индия, образующая сплошную токопроводящую сеть. Измерения температурных и магнитополевых зависимостей сопротивления и магнитного момента образцов показали рост критических параметров сверхпроводящего состояния наноструктурированного индия (критическая температура Tc≤3.62 K и критическое магнитное поле Hc при T=0 K Hс(0)≤1700 Oe) относительно массивного материала (Tc=3.41 K, Hc(0)=280 Oe). В зависимостях сопротивления от температуры и магнитного поля наблюдался ступенчатый переход в сверхпроводящее состояние, связанный со структурой нанокомпозита. В зависимости магнитного момента M нанокомпозита от магнитного поля при T<Tc наблюдается ярко выраженный гистерезис M(H), обусловленный многосвязной структурой токопроводящей индиевой сетки. Полученные результаты интерпретированы с учетом размерной зависимости сверхпроводящих характеристик нанокомпозита. Работа частично выполнена при поддержке Программы Президиума РАН N 1.4  "Актуальные проблемы физики низких температур".
  • Д.В. Шамшур, А.В. Черняев, А.В. Фокин, С.Г. Романов. ФТТ 47, 11, 1927 (2005)
  • G. Zhavnerko, G. Marletta. Mater. Sci. Eng. B 169, 1-3, 43 (2010)
  • В.Н. Богомолов, В.В. Журавлев, А.И. Задорожний, Е.В. Колла, Ю.И. Кумзеров. Письма в ЖЭТФ 36, 365 (1982)
  • S. Matsuo, H. Sugiura, S. Noguchi. J. Low Temp. Phys. 15, 481 (1974)
  • В.В. Шмидт. Введение в физику сверхпроводников. Наука, M. (1982)
  • R.V. Parfeniev, D.V. Shamshur, A.V. Chernyaev, A.V. Fokin, S.G. Romanov. 9th Int. Symposium "Nanostructures: Physics and Technology". St. Petersburg, Russia. (2001). P. 429-431
  • R. Lortz et al, Physical Rev. B 75, 094503 (2007)
  • R.V. Parfeniev, D.V. Shamshur, M.S. Kononchuk, A.V. Chernyaev, S.G. Romanov, A.V. Fokin. 24 Int. Conf. Low Temp. Physics. Abstracts (2005). P. 235. Orlando, Florida, USA
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.