Издателям
Вышедшие номера
Электрические и магнитные свойства нанонитей Pb и In в асбесте в области сверхпроводящего перехода
Переводная версия: 10.1134/S1063783418100050
Черняев А.В.1, Михайлин Н.Ю.1, Шамшур Д.В.1, Кумзеров Ю.А.1, Фокин А.В.1, Калмыков А.Е.1, Парфеньев Р.В.1, Сорокин Л.М.1, Lashkul A.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Wihuri Physical Laboratory, University of Turku, Turku, Finland
Email: chernyaevav@yandex.ru
Поступила в редакцию: 14 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.

Изготовлены и исследованы объемные нанокомпозиты на основе сверхпроводящих металлов Pb и In, введенных в матрицы природного хризотил-асбеста с внутренним диаметром нанотрубок d~6 nm. Низкотемпературные электрические и магнитные свойства нанокомпозитов демонстрируют переход в сверхпроводящее состояние с критической температурой перехода Tc~ (7.18±0.02) K для нанокомпозита Pb-асбест, близкой к Tc bulk=7.196 K для объемного Pb. Для нанонитей In в асбесте Tc~3.5-3.6 K из электрических измерений, что превышает Tc bulk=3.41 K объемного In. Показано, что температурное размытие сверхпроводящего перехода на зависимостях сопротивления от температуры R(T) Delta T~ 0.06 K для Pb-асбест и Delta T~1.8 K для In-асбест удовлетворительно описывается флуктуационными теориями Асламазова--Ларкина и Лангера--Амбегаокара. Из резистивных измерений обнаружено, что критические магнитные поля нанонитей, экстраполированные к T=0 K, для Pb (Hc(0)~47 kOe) и In (Hc(0)~1.5 kOe) в асбесте значительно превышают соответствующие значения для массивных материалов (Hbulkc=803 Oe для Pb и Hbulkc=285 Oe для In). Результаты электрических измерений для Pb-асбест и In-асбест согласуются с данными магнитополевых зависимостей магнитного момента в этих нанокомпозитах. Электронно-микроскопические исследования были проведены на оборудовании Центра коллективного пользования "Материаловедение и диагностика в передовых технологиях", функционирующего на базе ФТИ им. А.Ф. Иоффе. Работа частично поддержана Программой Президиума РАН "Наноструктуры", подпрограмма N 1.
  1. Yu.A. Kumzerov, S. Vakrushev. Nanostructures within porous materials. In: Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology / Ed. H.S. Nalwa. American Scientific Publishers (2004). V. VII. 811 p
  2. Д.В. Шамшур, А.В. Черняев, А.В. Фокин, С.Г. Романов. ФТТ 47, 1927 (2005)
  3. B.W. Roberts. J. Phys. Chem. Ref. Data 5, 581 (1976)
  4. Yu.A. Kumzerov. Nanostructured Films and Coatings. NATO Sci. Ser. 3. High Technology / Eds G.M. Chow, I.A. Ovid`ko, T. Tsakalakos. Dordrecht--Boston--London (2000). V. 78. P. 63
  5. K.Yu. Arutyunov, D.S. Golubev, A.D. Zaikin. Phys. Rep. 464, 1 (2006)
  6. П. Хоэнберг. УФН 102, 239 (1970)
  7. Yu.A. Kumzerov, A.A. Naberezhnov. Low Temp. Phys. 42,  1028 (2016)
  8. А.В. Черняев, Д.В. Шамшур, А.В. Фокин, А.E. Калмыков, Ю.А. Кумзеров, Л.М. Сорокин, Р.В. Парфеньев, A. Lashkul. ФТТ 58, 443 (2016)
  9. A.П. Карнаухов. Адсорбция. Текстура дисперсных пористых материалов. Наука, Новосибирск (1999). С. 346
  10. Л.Г. Асламазов, А.И. Ларкин. ФТТ 10, 1104 (1968)
  11. J.S. Langer, V. Ambegaokar. Phys. Rev. 164, 498 (1967)
  12. Таблицы физических величин / Под ред. акад. И.К. Кикоина. Атомиздат, М. (1976) C. 306
  13. В.В. Шмидт. Введение в физику сверхпроводников. Наука, М. (1982). C. 6, 33, 194
  14. A.E. Aliev, S.B. Lee, A.A. Zakhidov, R.H. Baughman. Phisica C 15, 453 (2007)
  15. Н.Ю. Михайлин, Д.В. Шамшур, Р.В. Парфеньев, В.И. Козуб, Ю.М. Гальперин, Ю.А. Кумзеров, А.В. Фокин. ФТТ 60, 1058 (2018)
  16. А. Роуз-Инс, Е. Родерик. Введение в физику сверхпроводимости. Мир, М. (1972). С. 23--24
  17. Л.П. Горьков. ЖЭТФ 37, 833 (1959)
  18. G. Stroink, D. Hutt, D. Lim, R.A. Dunlap. IEEE Transact. Magn. 21, 5, 2074 (1985)
  19. В.Л. Гинзбург. ЖЭТФ 34, 113 (1958)
  20. Handbuch der Physik. Bd XIX, Berlin (1956)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.