Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электронно-дифракционное изучение структуры эпитаксиального графена, выращенного методом термодеструкции 6H- и 4H-SiC (0001) в вакууме

DOI: 10.21883/FTT.2018.07.46131.016

Переводная версия: 10.1134/S1063783418070156

Котоусова И.С.¹, Лебедев С.П.¹, Лебедев А.А.^1,2, Булат П.В.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

Email: sura.lebe@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 22 января 2018 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.

PDF версия

Методом дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО) проведено исследование структуры графеновых слоев, образованных на поверхности Si-грани проводящих и полуизолирующих подложек карбида кремния 6H- и 4H-SiC(0001) путем термодесорбции атомов Si в высоком вакууме, в зависимости от температуры и времени сублимации атомов Si и способа предобработки поверхности подложек. Регистрация дифракционных картин осуществлялась в кристаллографических направлениях подложек [1210] и [1100]. Установлено, что во всех проведенных экспериментах образование графеновых слоев происходит с разворотом кристаллической решетки графена на 30^o относительно решетки SiC. Статья подготовлена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации (Соглашение N 14.575.21.0148, уникальный номер проекта RFMEF157517X0148).

А.А. Лебедев, И.С. Котоусова, А.А. Лаврентьев, С.П. Лебедев, И.В. Макаренко, В.Н. Петров, А.Н. Титков. ФТТ, 51, 783 (2009)
S.P. Lebedev, V.N. Petrov, I.S. Kotousova, A.A. Lavrent'ev, P.A. Dement'ev, A.A. Lebedev, A.N. Titkov. Mater. Sci. Forum 679, 437 (2011)
A.J. Van Bommel, J.E. Crombeen, A.Van Tooren. Surf. Sci. 48, 463 (1975)
X.N. Xie, H.Q. Wang, A.T.S. Wee, K.P. Loh. Surf. Sci. 478, 57 (2001)
Hoh Hui YIng. Diamond-graphene surface and interfacial adsorption studies. Diss (2010)
C. Wang, H. Nakahara, Y. Saito. E-J. Surf. Sci. Nanotechnology 15, 13 (2017)
Г.Э. Цырлин, В.Н. Петров, Н.К. Поляков, С.А. Масалов, А.О. Голубок, Д.В. Денисов, В.М. Устинов. ФТП 43, 1158 (1999)
Т.В. Малин, А.М. Гилинский, В.Г. Мансуров, Д.Ю. Протасов, А.С. Кожухов, Е.Б. Якимов, К.С. Журавлев. ФТП 49, 1329 (2015)
M.L. Bolen, S.E. Harrison, L.B. Biedermann, M.A. Capano. Phys. Rev. B 80, 115433 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель