Издателям
Вышедшие номера
Незаполненные электронные состояния и формирование интерфейса между пленками диметил замещенных тиофен- фенилен соолигомеров и поверхностью окисленного кремния
Переводная версия: 10.1134/S1063783418050128
РФФИ, офи-м, 15-29-05786
РФФИ, а, 18-03-00020
РФФИ, а, 18-03-00179
РНФ, 15-12-30031
Комолов А.С. 1, Лазнева Э.Ф. 1, Герасимова Н.Б.1, Панина Ю.А.1, Зашихин Г.Д. 1, Пшеничнюк С.А. 2, Борщев О.В. 3, Пономаренко С.А.3,4, Handke B. 5
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра РАН, Уфа, Россия
3Институт синтетических полимерных материалов им. Н.С. Ениколопова РАН, Москва, Россия
4Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
5AGH University of Science and Technology, Faculty of Material Science and Ceramics, Krakow, Poland
Email: a.komolov@spbu.ru, borshchev@ispm.ru
Поступила в редакцию: 30 октября 2017 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2018 г.

Приведены результаты исследования незаполненных электронных состояний и пограничного потенциального барьера при осаждении сверхтонких пленок диметил замещенных тиофен-фенилен соолигомеров вида СH3-фенилен-тиофен-тиофен-фенилен-СH3 (СH3-PTTP-CH3) на поверхность окисленного кремния. Измерения электронных характеристик проводились в энергетическом диапазоне от 5 до 20 eV выше уровния Ферми методом спектроскопии полного тока (СПТ). Диагностика структуры поверхности пленок СH3-PTTP-СH3 выполнялась методом атомной силовой микроскопии (AFM) и диагностика их атомного состава --- методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS). Проведен анализ изменения интенсивностей максимумов, измеряемых СПТ, исходящих от осаждаемой пленки СH3-PTTP-CH3 и от подложки, в процессе увеличения толщины органического покрытия до 6 nm. Формирование пограничного потенциального барьера в исследованной структуре n-Si/SiO2/СH3-PTTP-CH3 сопровождалось снижением работы выхода поверхности от 4.2±0.1 до 4.0±0.1 eV при увеличении толщины органического покрытия до 3 nm. Соотношение концентраций атомов C : S в исследованных пленках СH3-PTTP-CH3 хорошо соответствует химической формуле молекул СH3-PTTP-СH3. Шероховатость поверхности покрытия СH3-PTTP-СH3 не превышала 10 nm на участках площадью порядка 10x10 mum при общей толщине слоя СH3-PTTP-СH3 около 100 nm. Работа выполнена при поддержке РФФИ (15-29-05786-офи-м, 18-03-00020-а, 18-03-00179-а). Синтез СH3-PTTP-CH3 выполнен при поддержке гранта Российского научного фонда N 15-12-30031. В работе использовали оборудование научного парка СПбГУ "Физические методы исследования поверхности" и "Диагностика функциональных материалов для медицины, фармакологии и наноэлектроники".
  • C.K. Chan, E.-G. Kim, J.L. Bredas, A. Kahn. Adv. Funct. Mater. 16, 831 (2006)
  • L. Grzadziel, M. Krzywiecki, G. Genchev, A. Erbe. Synth. Met. 223, 199 (2017)
  • D. Ozdal, N.P. Aydinlik, J.B. Bodapati, H. Icil. Photochem. Photobiol. Sci. 16, 262 (2017)
  • A.S. Komolov, P.J. Moeller. Appl. Surf. Sci. 212--213, 493 (2003)
  • В.М. Корнилов, А.Н. Лачинов, Д.Д. Карамов, И.Р. Набиуллин, Ю.В. Кульвелис. ФТТ 58, 1030 (2016)
  • T. Sengoku, T. Yamao, S. Hotta. J. Non-Cryst. Solids 358, 17, 2525 (2012)
  • F. Sasaki, Y. Kawaguchi, H. Mochizuki, S. Haraichi, T. Ishitsuka, T. Ootsuka, T. Tomie, S. Watanabe, Y. Shimoi, T. Yamao, S. Hotta. Mol. Cryst. Liq. Cryst. 620, 153 (2015)
  • M.S. Kazantsev, V.G. Konstantinov, D.I. Dominskiy, V.V. Bruevich, V.A. Postnikov, Y.N. Luponosov, V.A. Tafeenko, N.M. Surin, S.A. Ponomarenko, D.Y. Paraschuk. Synt. Met. 232, 60 (2017)
  • V.A. Postnikov, Y.I. Odarchenko, A.V. Iovlev, V.V. Bruevich, A.Y. Pereverzev, L.G. Kudryashova, V.V. Sobornov, L. Vidal, D. Chernyshov, Y.N. Luponosov, O.V. Borshchev, N.M. Surin, S.A. Ponomarenko, D.A. Ivanov, D.Y. Paraschuk. Cryst. Growth Des. 14, 1726 (2014)
  • L.G. Kudryashova, M.S. Kazantsev, V.A. Postnikov, V.V. Bruevich, Y.N. Luponosov, N.M. Surin, O.V. Borshchev, S.A. Ponomarenko, M.S. Pshenichnikov, D.Y. Paraschuk. ACS Appl. Mater. Interfaces 8, 10088 (2016)
  • Y. Yomogida, T. Takenobu, H. Shimotani, K. Sawabe, S.Z. Bisri, T. Yamao, S. Hotta, Y. Iwasa. Appl. Phys. Lett. 97, 173301 (2010)
  • A.N. Aleshin, I.P. Shcherbakov, A.S. Komolov, V.N. Petrov, I.N. Trapeznikova. Organic Electr. 16, 186 (2015)
  • A.N. Aleshin, I.P. Shcherbakov, E.V. Gushchina, L.B. Matyushkin, V.A. Moshnikov. Organic Electr. 50, 213 (2017)
  • А.Н. Алешин, И.П. Щербаков, И.Н. Трапезникова, В.Н. Петров. ФТТ 59, 2457 (2017)
  • Y. Kawaguchi, F. Sasaki, H. Mochizuki, T. Ishitsuka, T. Tomie, T. Ootsuka, S. Watanabe, Y. Shimoi, T. Yamao, S. Hotta. J. Appl. Phys. 113, 083710 (2013)
  • A.S. Komolov, E.F. Lazneva, S.N. Akhremtchik, N.S. Chepilko, A.A. Gavrikov. J. Phys. Chem. C 117, 24, 12633 (2013)
  • А.С. Комолов, Э.Ф. Лазнева, Н.Б. Герасимова, Ю.А. Панина, А.В. Барамыгин, Г.Д. Зашихин, С.А. Пшеничнюк. ФТТ 58, 367 (2016)
  • N.L. Asfandiarov, S.A. Pshenichnyuk, A.S. Vorob'ev, E.P. Nafikova, A. Modelli. Rapid Commun. Mass Spectrom. 29, 910 (2015)
  • N.L. Asfandiarov, S.A. Pshenichnyuk, E.P. Nafikova, A.S. Vorob'ev, Y.N. Elkin, A. Modelli, A.S. Komolov. Int. J. Mass Spectr. 412, 26 (2017)
  • Y. Tong, F. Nicolas, S. Kubsky, H. Oughaddou, F. Sirotti, V. Esaulov, A. Bendounan. J. Phys. Chem. C 121, 9, 5050 (2017)
  • D.I. Dominskiy, A.Yu. Sosorev, T.V. Rybalova, N.I. Sorokina, O.A. Alekseeva, A.V. Andrianova, I.A. Gvozdkova, O.V. Borshchev, S.A. Ponomarenko, D.Yu. Paraschuk. In: Book of abstracts. 13th International Conference on Organic Electronics-2017 (ICOE-2017). Moscow, Printeltech (2017). P. 96
  • B. Handke, L. Klita, W. Niemiec. Surf. Sci. 666, 70 (2017)
  • M.K. Rabinal. Appl. Surf. Sci. 382, 41 (2016)
  • И.А. Аверин, А.А. Карманов, В.А. Мошников, И.А. Пронин, С.Е. Игошина, А.П. Сигаев, Е.И. Теруков. ФТТ 12, 2304 (2015)
  • I.B. Olenych, O.I. Aksimentyeva, L.S. Monastyrskii, Y.Y. Horbenko, M.V. Partyka, A.P. Luchechko, L.I. Yarytska. Nanoscale Res. Lett. 11, 43 (2016)
  • J.F. Moulder, W.F. Stickle, P.E. Sobol, K. Bomben. Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy, 2nd ed / Ed. J. Chastain. Eden Prairie: Perkin-Elmer Corporation (Physical Electronics) (1992)
  • A.S. Komolov, P.J. Moeller. Appl. Surf. Sci. 244, 573 (2005)
  • A.S. Komolov, E.F. Lazneva, S.N. Akhremtchik. Appl. Surf. Sci. 256, 2419 (2010)
  • I. Bartos. Progr. Surf. Sci. 59, 197 (1998)
  • A.S. Komolov, P.J. M ller, Y. G. Aliaev, E.F. Lazneva, S.A. Akhremchik, F.S. Kamounah, J. Mortenson, K. Schaumburg. J. Mol. Struct. 744/747, 145 (2005)
  • A.S. Komolov, Y.M. Zhukov, E.F. Lazneva, A.N. Aleshin, S.A. Pshenichnuk, N.B. Gerasimova, Yu.A. Panina, G.D. Zashikhin, A.V. Baramygin. Mater. Des. 113, 319 (2017)
  • A.S. Komolov, K. Schaumburg, P.J. M ller, V.V. Monakhov. Appl. Surf. Sci. 142, 591 (1999)
  • T.R. Dillingham, D.M. Cornelison, S.W. Townsend. J. Vac. Sci. Technol. A 14, 1494 (1996)
  • А.С. Комолов, Э.Ф. Лазнева, Ю.М. Жуков, С.А. Пшеничнюк, Е.В. Агина, Д.И. Доминский, Д.С. Анисимов, Д.Ю. Паращук. ФТТ 59, 2462 (2017)
  • Y. Stohr. NEXAFS Spectroscopy. Springer, Berlin (2003)
  • T. Graber, F. Forster, A. Schoell, F. Reinert. Surf. Sci. 605, 878 (2011)
  • S. Braun, W. Salaneck, M. Fahlman. Adv. Mater. 21, 1450 (2009)
  • M. Gruenewald, L.K. Schirra, P. Winget, M. Kozlik, P.F. Ndione, A.K. Sigdel, J.J. Berry, R. Forker, J.-L. Bredas, T. Fritz, O.L.A. Monti. J. Phys. Chem. C 119, 4865 (2015)
  • I. Hill, D. Milliron, J. Schwartz, A. Kahn. Appl. Surf. Sci. 166, 354 (2000).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.