Приведены результаты исследования незаполненных электронных состояний и пограничного потенциального барьера при осаждении сверхтонких пленок диметил замещенных тиофен-фенилен соолигомеров вида СH₃-фенилен-тиофен-тиофен-фенилен-СH₃ (СH₃-PTTP-CH₃) на поверхность окисленного кремния. Измерения электронных характеристик проводились в энергетическом диапазоне от 5 до 20 eV выше уровния Ферми методом спектроскопии полного тока (СПТ). Диагностика структуры поверхности пленок СH₃-PTTP-СH₃ выполнялась методом атомной силовой микроскопии (AFM) и диагностика их атомного состава - методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS). Проведен анализ изменения интенсивностей максимумов, измеряемых СПТ, исходящих от осаждаемой пленки СH₃-PTTP-CH₃ и от подложки, в процессе увеличения толщины органического покрытия до 6 nm. Формирование пограничного потенциального барьера в исследованной структуре n-Si/SiO₂/СH₃-PTTP-CH₃ сопровождалось снижением работы выхода поверхности от 4.2±0.1 до 4.0±0.1 eV при увеличении толщины органического покрытия до 3 nm. Соотношение концентраций атомов C : S в исследованных пленках СH₃-PTTP-CH₃ хорошо соответствует химической формуле молекул СH₃-PTTP-СH₃. Шероховатость поверхности покрытия СH₃-PTTP-СH₃ не превышала 10 nm на участках площадью порядка 10x10 mum при общей толщине слоя СH₃-PTTP-СH₃ около 100 nm. Работа выполнена при поддержке РФФИ (15-29-05786-офи-м, 18-03-00020-а, 18-03-00179-а). Синтез СH₃-PTTP-CH₃ выполнен при поддержке гранта Российского научного фонда N 15-12-30031. В работе использовали оборудование научного парка СПбГУ "Физические методы исследования поверхности" и "Диагностика функциональных материалов для медицины, фармакологии и наноэлектроники".

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.