Термоэдс серы при высоком давлении
Щенников В.В.1, Овсянников С.В.1
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 25 марта 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.
Впервые измерены термоэдс и поперечное магнитосопротивление серы при сверхвысоком давлении до ~40 GPa. Показано, что проводимость серы, как и других элементарных полупроводников VI группы, Te и Se, обусловлена дырками валентной зоны. Из зависимости термоэдс от давления определено изменение ширины запрещенной зоны. Обнаруженное отрицательное магнитосопротивление серы при P~30 GPa свидетельствует о низкой подвижности дырок и предполагает наличие непрямой минимальной щели в электронном спектре. Изменение электронной структуры серы под давлением обсуждается в рамках модели пайерлсовского искажения решетки. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 01-02-17203).
- H. Luo, S. Desgreniers, Y.K. Vohra, A.L. Ruoff. Phys. Rev. Lett. 67, 2998 (1991)
- Е.Н. Яковлев, Г.Н. Степанов, Ю.А. Тимофеев, Б.В. Виноградов. Письма в ЖЭТФ 22, 340 (1978)
- V.V. Struzhkin, R.J. Hemley, H.-K. Mao, Yu.A. Timofeev. Nature 390, 2662 (1997)
- H. Luo, R.G. Greence, A.L. Ruoff. Phys. Rev. Lett. 71, 2943 (1993)
- M.I. Eremets, K. Amaya, K. Shimizu, T.C. Kobayashi. Rev. High Pressure Sci. Technol. 7, 469 (1998)
- R.J. Hemley, H.K. Mao. Encyclopaedia of applied physics 18, 555 (1997)
- F.P. Bundy, K.J. Dunn. Phys. Rev. B 22, 3157 (1980)
- В.В. Щенников, В.И. Осотов. ФТТ 37, 448 (1995)
- В.В. Щенников. ФТТ 42, 626 (2000)
- V.V. Shchennikov. Phys. Stat. Sol. (b) 223, 561 (2001)
- A.R. Goni, K. Syassen. Semiconductor and semimetals 54, 247 (1998)
- И.М. Цидильковский, В.В. Щенников, Н.Г. Глузман. ФТП 17, 958 (1983)
- В.В. Щенников. ФММ 67, 93 (1989)
- В.В. Щенников, С.В. Овсянников. Письма в ЖЭТФ 74, 546 (2001)
- F.P. Bundy. Rev. Sci. Instruments 46, 1318 (1975)
- В.В. Щенников, В.А. Смирнов. Патент N 2050180
- V.V. Shchennikov, A.V. Bazhenov. Rev. High Pressure Sci. Technol. 6, 657 (1997)
- V.V. Shchennikov, A.Yu. Derevskov, V.A. Smironov. In: High pressure chemical engineering / Ed. by Ph. Rudolf von Rohr, Ch. Trepp. Elsevier, Amsterdam--Tokyo (1996). P. 667
- Н.Ф. Мотт. Переходы металл--полупроводник. Наука, М. (1979). 344 с. [N.F. Mott. Metal--insulator transitions. Taylor and Francis Ltd, London (1974)]
- М. Катлер. Жидкие полупроводники. Мир, М. (1980). 256 с. [M. Cutler. Liquid Semiconductors, Acad. Press (1977)]
- В.В. Щенников. ФТТ 38, 2680 (1996)
- Б.А. Волков, О. Панкратов, С.В. Пахомов. ЖЭТФ 86, 2293 (1984)
- J.P. Gaspard, F. Marinelli, A. Pellegatii. Europhus Lett. 3, 1095 (1987)
- Б.А. Волков, О. Панкратов, А.В. Сазонов. ЖЭТФ 85, 1395 (1983)
- Е.Ю. Тонков. Фазовые диаграммы элементов при высоком давлении. Наука, М. (1979). 280 с
- В.В. Соболев, А.М. Широков. Электронная структура халькогенов. Наука, М. (1988). 224 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.