Вышедшие номера
Термоэдс серы при высоком давлении
Щенников В.В.1, Овсянников С.В.1
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 25 марта 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.

Впервые измерены термоэдс и поперечное магнитосопротивление серы при сверхвысоком давлении до ~40 GPa. Показано, что проводимость серы, как и других элементарных полупроводников VI группы, Te и Se, обусловлена дырками валентной зоны. Из зависимости термоэдс от давления определено изменение ширины запрещенной зоны. Обнаруженное отрицательное магнитосопротивление серы при P~30 GPa свидетельствует о низкой подвижности дырок и предполагает наличие непрямой минимальной щели в электронном спектре. Изменение электронной структуры серы под давлением обсуждается в рамках модели пайерлсовского искажения решетки. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 01-02-17203).