Издателям
Вышедшие номера
Термоэдс серы при высоком давлении
Щенников В.В.1, Овсянников С.В.1
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 25 марта 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.

Впервые измерены термоэдс и поперечное магнитосопротивление серы при сверхвысоком давлении до ~40 GPa. Показано, что проводимость серы, как и других элементарных полупроводников VI группы, Te и Se, обусловлена дырками валентной зоны. Из зависимости термоэдс от давления определено изменение ширины запрещенной зоны. Обнаруженное отрицательное магнитосопротивление серы при P~30 GPa свидетельствует о низкой подвижности дырок и предполагает наличие непрямой минимальной щели в электронном спектре. Изменение электронной структуры серы под давлением обсуждается в рамках модели пайерлсовского искажения решетки. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 01-02-17203).
  1. H. Luo, S. Desgreniers, Y.K. Vohra, A.L. Ruoff. Phys. Rev. Lett. 67, 2998 (1991)
  2. Е.Н. Яковлев, Г.Н. Степанов, Ю.А. Тимофеев, Б.В. Виноградов. Письма в ЖЭТФ 22, 340 (1978)
  3. V.V. Struzhkin, R.J. Hemley, H.-K. Mao, Yu.A. Timofeev. Nature 390, 2662 (1997)
  4. H. Luo, R.G. Greence, A.L. Ruoff. Phys. Rev. Lett. 71, 2943 (1993)
  5. M.I. Eremets, K. Amaya, K. Shimizu, T.C. Kobayashi. Rev. High Pressure Sci. Technol. 7, 469 (1998)
  6. R.J. Hemley, H.K. Mao. Encyclopaedia of applied physics 18, 555 (1997)
  7. F.P. Bundy, K.J. Dunn. Phys. Rev. B 22, 3157 (1980)
  8. В.В. Щенников, В.И. Осотов. ФТТ 37, 448 (1995)
  9. В.В. Щенников. ФТТ 42, 626 (2000)
  10. V.V. Shchennikov. Phys. Stat. Sol. (b) 223, 561 (2001)
  11. A.R. Goni, K. Syassen. Semiconductor and semimetals 54, 247 (1998)
  12. И.М. Цидильковский, В.В. Щенников, Н.Г. Глузман. ФТП 17, 958 (1983)
  13. В.В. Щенников. ФММ 67, 93 (1989)
  14. В.В. Щенников, С.В. Овсянников. Письма в ЖЭТФ 74, 546 (2001)
  15. F.P. Bundy. Rev. Sci. Instruments 46, 1318 (1975)
  16. В.В. Щенников, В.А. Смирнов. Патент N 2050180
  17. V.V. Shchennikov, A.V. Bazhenov. Rev. High Pressure Sci. Technol. 6, 657 (1997)
  18. V.V. Shchennikov, A.Yu. Derevskov, V.A. Smironov. In: High pressure chemical engineering / Ed. by Ph. Rudolf von Rohr, Ch. Trepp. Elsevier, Amsterdam--Tokyo (1996). P. 667
  19. Н.Ф. Мотт. Переходы металл--полупроводник. Наука, М. (1979). 344 с. [N.F. Mott. Metal--insulator transitions. Taylor and Francis Ltd, London (1974)]
  20. М. Катлер. Жидкие полупроводники. Мир, М. (1980). 256 с. [M. Cutler. Liquid Semiconductors, Acad. Press (1977)]
  21. В.В. Щенников. ФТТ 38, 2680 (1996)
  22. Б.А. Волков, О. Панкратов, С.В. Пахомов. ЖЭТФ 86, 2293 (1984)
  23. J.P. Gaspard, F. Marinelli, A. Pellegatii. Europhus Lett. 3, 1095 (1987)
  24. Б.А. Волков, О. Панкратов, А.В. Сазонов. ЖЭТФ 85, 1395 (1983)
  25. Е.Ю. Тонков. Фазовые диаграммы элементов при высоком давлении. Наука, М. (1979). 280 с
  26. В.В. Соболев, А.М. Широков. Электронная структура халькогенов. Наука, М. (1988). 224 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.