Издателям
Вышедшие номера
Термоэдс в области прыжковой проводимости TlNiS2
Мустафаева С.Н.1, Керимова Э.М.1, Джаббарлы А.И.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 13 июня 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.

Синтезированы образцы состава TlNiS2 с гексагональной сингонией и параметрами элементарной решетки: a=12.28 Angstrem, c=19.32 Angstrem, rho=6.90 g/cm3. Результаты изучения электрических и термоэлектрических свойств образцов TlNiS2 в области температур 80--300 K свидетельствовали о полупроводниковом характере проводимости p-типа. Установлено, что при температурах 110--240 K в образцах TlNiS2 в постоянном электрическом поле имеет место прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка по локализованным вблизи уровня Ферми состояниям. Оценены плотность локализованных состояний вблизи уровня Ферми NF=9·1020 eV-1·cm-3 и их разброс J~2·10-2 eV. В области температур 80--110 K в TlNiS2 наблюдалась безактивационная прыжковая проводимость. При низких температурах (80--240 K) термоэдс в TlNiS2 подчинялась закономерности alpha(T)=A+BT, характерной при прыжковом механизме переноса заряда. Повышение температуры до температуры начала собственной проводимости с энергией активации Delta E=1.0 eV приводило к появлению собственных основных носителей заряда обоих знаков. Это вызывало повышение sigma, но одновременно резко снижало alpha; при этом термоэдс практически не зависела от температуры.
  1. С.Н. Мустафаева, Э.М. Керимова, А.И. Джаббарлы. ФТТ 42, 12, 2132 (2000)
  2. Э.М. Керимова, Ф.М. Сеидов, С.Н. Мустафаева, С.С. Абдинбеков. Неорган. материалы 35, 2, 157 (1999)
  3. Ф.М. Сеидов, Э.М. Керимова, С.Н. Мустафаева, Р.К. Велиев, А.Б. Магеррамов. Fizika 6, 1, 47 (2000)
  4. E.M. Kerimova, S.N. Mustafaeva, F.M. Seidov. Abstracts of 6th International School-Conference "Phase diagrams in Material Science". Kiev, Ukraine (2001)
  5. M.A. Алджанов, М.Д. Наджафзаде. ФТТ 32, 8, 2494 (1990)
  6. M.A. Aljanov, E.M. Kerimova, M.D. Nadjafzade. Abstracts of XIV IUPAC Conference on Chemical Thermodynamics. Osaka, Japan (1996). P. 25
  7. Э.М. Керимова, Р.З. Садыхов, Р.К. Велиев. Неорган. материалы 37, 2, 180 (2001)
  8. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные поцессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1974)
  9. V. Augelli, C. Manfredotti, R. Murri, R. Piccolo, L. Vasanelli. IL Nuovo Cimento. 38, 2, 327 (1977)
  10. Б.И. Шкловский, А.А. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.