Вышедшие номера
Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок стабилизированного диоксида циркония со встроенными наночастицами Au, сформированными в процессе облучения ионами золота
Переводная версия: 10.1134/S1063783418030368
Минобрнауки РФ, базовая часть госзадания, 16.7864.2017/БЧ
Зубков С.Ю.1, Антонов И.Н.1, Горшков О.Н.1, Касаткин А.П.1, Крюков Р.Н.1, Николичев Д.Е.1, Павлов Д.А.1, Шенина М.Е.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: zubkov@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 15 августа 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.

Наноразмерные пленки стабилизированного диоксида циркония с наночастицами Au, сформированными имплантацией ионов Au, исследованы методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и просвечивающей электронной микроскопии. Исследовано влияние облучения пленок ионами Au и постимплантационного отжига на распределение в них по глубине химических элементов и цирконийсодержащих соединений ZrOx. На основе данных о размерном сдвиге фотоэлектронной линии Au 4f определено среднее значение диаметра наночастиц. Работа выполнена при финансовой поддержке Минобрнауки РФ в рамках базовой части госзадания N 16.7864.2017/БЧ. DOI: 10.21883/FTT.2018.03.45566.249
  1. J.D. Hwang, F.H. Wang, C.Y. Kung, M.J. Lai, M.C. Chan. J. Appl. Phys. 115, 17, 173110 (2014)
  2. G. Mattei, P. Mazzoldi, H. Bernas. Top. Appl. Phys. 116, 287 (2010)
  3. В.Н. Чеботин, М.В. Перфильев. Электрохимия твердых электролитов / Под ред. В.Н. Чеботина. Химия, М. (1978). С. 312
  4. D. Panda, T.-Y. Tseng. Thin Solid Films 531, 1 (2013)
  5. О.Н. Горшков, Т.А. Грачева, А.П. Касаткин, Н.Д. Малыгин, В.А. Новиков, А.Ф. Щуров. Высокочистые вещества 2, 85 (1995)
  6. O.N. Gorshkov, V.A. Novikov, A.P. Kasatkin. Tech. Phys. Lett. 25, 7, 580 (1999)
  7. O.N. Gorshkov, I.N. Antonov, D.O. Filatov, M.E. Shenina, A.P. Kasatkin, D.A. Pavlov, A.I. Bobrov. Tech. Phys. Lett. 42, 1, 36 (2016)
  8. O.N. Gorshkov, M.E. Shenina, A.P. Kasatkin, D.A. Pavlov, I.N. Antonov, A.I. Bobrov, D.O. Filatov. Tech. Phys. Lett. 41, 6, 543 (2015)
  9. S.V. Tikhov, O.N. Gorshkov, I.N. Antonov, A.P. Kasatkin, M.N. Koryazhkina. Tech. Phys. Lett. 40, 10, 837 (2014)
  10. О.Н. Горшков, В.А. Новиков, А.П. Касаткин. Неорган. материалы 35, 604 (1999)
  11. http://www.scientaomicron.com/
  12. XPS/AES software. http://www.xpsdata.com/
  13. F. Iacona, R. Kelly, G. Marletta. J. of Vacuum Science \& Technology A. 17, 2771 (1999)
  14. M.-S. Kim, Y.-D. Ko, J.-H. Hong, M.-C. Jeong, J.-M. Myoung, I. Yun. Appl. Surf. Sci. 227, 387 (2004)
  15. Н.В. Плешивцев, А.И. Бажин. Физика воздействия ионных пучков на материалы. Вузовская книга, М. (1998). С. 392
  16. Handbooks of monochromatic XPSspectra. Vol. 1. The elements and native oxides. / Ed. by B.V. Crist, XPS International LLC. (1999). 658 p
  17. Handbooks of monochromatic XPS spectra. Vol. 2. Commercially pure binary oxides and a few common carbonates and hydroxides. / Ed by B.V. Crist, XPS International LLC. (2005). 970 p
  18. С.А. Маклаков, В.А. Жаботинский, Г.Ф. Ивановский, В.И. Кузькин, В.В. Слепцов. Получение пленок двуокиси кремния методом высокочастотного магнетронного распыления. Зарубежная электронная техника. N 2 (321). Изд-во ЦНИИ Электроника", М. (1982). С. 100
  19. A. Meldrum, R. Lopez, R.H. Magruder, L.A. Boatner, C.W. White. Top. Appl. Phys. 116, 255 (2010)
  20. K. Takahiro, S. Oizumi, K. Morimoto, K. Kawatsura, T. Isshiki, K. Nishio, S. Nagata, S. Yamamoto, K. Narumi, H. Naramoto. Appl. Surf. Sci. 256, 4, 1061 (2009)
  21. S. Shukla, S. Seal. NanoStructured Materials 11, 8, 1181 (1999)
  22. D. Dalacu, J.E. Klemberg-Sapieha, L. Martinu. Surf. Sci. 472, 1, 33 (2001)
  23. M.G. Mason, L.J. Gerenser, S.-T. Lee. Phys. Rev. Lett. 39, 5, 288 (1977)
  24. F. Parmigiani, E. Kay, P.S. Bagus, C.J. Nelin. J. Electron Spectr. Relat. Phenom. 36, 3, 257 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.