Вышедшие номера
Перестройка спектров электролюминесценции в гетероструктурах II типа n-InAs/n-InAsSbP
Переводная версия: 10.1134/S1063783418030277
Романов В.В.1, Иванов Э.В.1, Моисеев К.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mkd@iropt2.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 20 сентября 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.

Методом МОГФЭ были получены одиночные гетеросруктуры II типа n+-InAs/n0-InAs0.59Sb0.16P0.25 на основе преднамеренно нелегированного эпитаксиального слоя с электронным типом проводимости. При этом вблизи гетерограницы в объеме четверного твердого раствора был сформирован переходной слой модулированного состава. Было показано существование канала излучательной рекомбинации, обусловленного наличием локализованных дырочных состояний в квантовых ямах, сформированных в переходном слое вблизи гетерограницы. Была продемонстрирована перестройка максимума интенсивности спектра ЭЛ исследуемой гетероструктуры при приложении прямого внешнего смещения. Результаты настоящего исследования могут быть использованы при разработке перестраиваемых светодиодов, работающих в среднем инфракрасном диапазоне 2-4 mum. DOI: 10.21883/FTT.2018.03.45565.268