Определение стационарного тока утечки в структурах с пленками сегнетоэлектрической керамики
Подгорный Ю.В.1, Воротилов К.А.1, Сигов А.С.1
1МИРЭА - Российский технологический университет, Москва, Россия
Email: podgsom_2004@mail.ru
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.
Исследованы стационарные токи утечки конденсаторных структур с сегнетоэлектрическими золь-гель пленками цирконата-титаната свинца (PZT), сформированными на кремниевых подложках с нижним Pt электродом. Установлено, что независимо от толщины пленки PZT структуры Pt/PZT/Hg характеризуются наличием выпрямляющего контакта, подобного p-n-переходу. Стационарный ток утечки в проводящем направлении увеличивается с уменьшением толщины пленки и определяется проводимостью объема сегнетоэлектрика. Работа выполнена при финансовой поддержке Минобрнауки России в рамках базовой части государственного задания в сфере научной деятельности, проект N 3.5726.2017/БЧ. DOI: 10.21883/FTT.2018.03.45539.02D
- J.F. Scott. Science 315, 954 (2007)
- K.A. Vorotilov, A.S. Sigov. Physics of the Solid State 54, 5, 894 (2012)
- G.W. Dietz, M. Schumacher, R. Waser, S.K. Streiffer, C. Basceri, A.I. Kingon. J. Appl. Phys. 82, 5, 2359 (1997)
- A. Sigov, Yu. Podgorny, K. Vorotilov, A. Vishnevskiy. Phase Trans. 86, 1141 (2013)
- Yu. Podgorny, K. Vorotilov, A. Sigov. J. Appl. Phys. Lett. 105, 182904 (2014)
- Yu. Podgorny, K. Vorotilov, A. Sigov. AIP Advances 6, 095025 (2016)
- N.M. Kotova, K.A. Vorotilov, D.S. Seregin, A.S. Sigov. Inorganic Materials. 50, 6, 612 (2014)
- S.M. Sze, K.Ng Kwok. Physics of Semiconductor Devices, John Wiley \& Sons, Hoboken, New Jersey (2007). 119 p
- M. Dawber, K.М. Rabe, J.F. Scott. Rev. Mod. Phys. 77, 1083 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
