Вышедшие номера
Влияние корреляции между подсистемами мелких и глубоких метастабильных уровней на экситонные спектры фотолюминесценции в n-типе GaAs
Криволапчук В.В.1, Мездрогина М.М.1, Полетаев Н.К.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vlad.krivol@pop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 28 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.

Исследованы экситонные спектры фотолюминесценции эпитаксиальных слоев GaAs. Показано, что относительное расположение мелких и глубоких центров в тетраэдрической решетке приводит к изменению кинетики затухания и формы линии излучения D0,x (экситон, связанный на мелком нейтральном доноре). Причиной такого изменения спектров экситонной фотолюминесценции является дисперсия энергии связи экситонов мелких доноров ED, которая обусловлена влиянием подсистемы глубоких метастабильных дефектов в кристаллах GaAs n-типа.