Издателям
Вышедшие номера
Процессы переноса заряда в углеродных композитах на основе фуллеренов и терморасширенного графита
Берёзкин В.И.1
1Научно-исследовательский центр экологической безопасности РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: v.berezkin@inbox.ru
Поступила в редакцию: 29 ноября 2016 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2017 г.

Исследованы кинетические процессы в композиционных материалах на основе фуллеренов и терморасширенного графита при исходных соотношениях компонентов от 1 : 16 до 16 : 1 по массе. Образцы получены путем термообработки в вакууме в диффузионно-адсорбционном процессе исходных дисперсных смесей, их дальнейшего холодного прессования и отжига. Показано, что последний практически не влияет на механизмы проводимости, а лишь создает дополнительные дефекты структуры, действующие как электронные ловушки. В целом полученные результаты при использованных соотношениях компонентов позволяют отнести материал к компенсированной металлической системе со структурным беспорядком, в которой перенос заряда при температурах от 4.2 K до комнатной управляется квантовыми интерференционными явлениями. В области низких температур проявляются эффекты слабой локализации, а в области средних и высоких температур --- электрон-электронные взаимодействия. DOI: 10.21883/FTT.2017.07.44611.424
  1. В.И. Березкин. Углерод: замкнутые наночастицы, макроструктуры, материалы. АРТЭГО, СПб (2013). 450 с
  2. В.И. Березкин. Введение в физическую адсорбцию и технологию углеродных адсорбентов. Виктория плюс, СПб (2013). 409 с
  3. Q.Z. Xue, X. Zhang. Carbon 43, 760 (2005)
  4. О. Gunnarson. Rev. Mod. Phys. 69, 575 (1997)
  5. В.И. Березкин. Письма в ЖЭТФ 83, 455 (2006)
  6. В.И. Березкин, В.В. Попов. ФТТ 49, 1719 (2007)
  7. В.И. Березкин, В.В. Попов, М.В. Томкович. ФТТ 59, 601 (2017)
  8. C.A. Klein. Rev. Mod. Phys. 34, 56 (1962)
  9. Краткая химическая энциклопедия / Под ред. И.Л. Кнунянца. Сов. энциклопедия, М. (1967). Т. 5. 590 с
  10. M.S. Dresselhaus, G. Dresselhaus. Adv. Phys. 30, 139 (1981)
  11. С.В. Шулепов. Физика углеродных материалов. Металлургия, Челябинск (1990). 336 с
  12. П.С. Киреев. Физика полупроводников. Высш. шк., М. (1975). 584 с
  13. D.B. McWhan, T.M. Rice, P.H. Schmidt. Phys. Rev. 177, 1063 (1969)
  14. J.C. Nickerson, R.M. White, K.N. Lee, R. Bachmann, T.H. Geballe, G.W. Hull, Jr. Phys. Rev. B 3, 2030 (1971)
  15. H.M. Jaeger, D.B. Haviland, B.G. Orr, A.M. Goldman. Phys. Rev. B 40, 182 (1989)
  16. Л.С. Парфеньева, Т.С. Орлова, Н.Ф. Картенко, Н.В. Шаренкова, Б.И. Смирнов, И.А. Смирнов, H. Misiorek, A. Jezowski, T.E. Wilkes, K.T. Faber. ФТТ 52, 1045 (2010)
  17. В.В. Попов, Т.С. Орлова, E. Enrique Magarino, M.A. Bautista, J. Martinez-Fernandez. ФТТ 53, 259 (2011)
  18. I. Lazar, G. Lazar. J. Non-Cryst. Solids 352, 2096 (2006)
  19. K. Seeger. Semiconductor physics. Springer-Verlag, Wien- N. Y. (1973). XV+514 р. [К. Зеегер. Физика полупроводников. Мир, М. (1977). 615 с.]
  20. B.I. Altshuler, A.G. Aronov. In: Electron-electron interactions in disordered systems. Ser. Modern problems in condensed matter science. V. 10 / Eds A.L. Efros, M. Pollak. North-Holland, Amsterdam, etc. (1985). P. 1
  21. P.A. Lee, T.V. Ramakrishnan. Rev. Mod. Phys. 57, 287 (1985)
  22. Т.Л. Макарова. ФТП 35, 257 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.