Процессы переноса заряда в углеродных композитах на основе фуллеренов и терморасширенного графита
Поступила в редакцию: 29 ноября 2016 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2017 г.
Исследованы кинетические процессы в композиционных материалах на основе фуллеренов и терморасширенного графита при исходных соотношениях компонентов от 1 : 16 до 16 : 1 по массе. Образцы получены путем термообработки в вакууме в диффузионно-адсорбционном процессе исходных дисперсных смесей, их дальнейшего холодного прессования и отжига. Показано, что последний практически не влияет на механизмы проводимости, а лишь создает дополнительные дефекты структуры, действующие как электронные ловушки. В целом полученные результаты при использованных соотношениях компонентов позволяют отнести материал к компенсированной металлической системе со структурным беспорядком, в которой перенос заряда при температурах от 4.2 K до комнатной управляется квантовыми интерференционными явлениями. В области низких температур проявляются эффекты слабой локализации, а в области средних и высоких температур - электрон-электронные взаимодействия. DOI: 10.21883/FTT.2017.07.44611.424
- В.И. Березкин. Углерод: замкнутые наночастицы, макроструктуры, материалы. АРТЭГО, СПб (2013). 450 с
- В.И. Березкин. Введение в физическую адсорбцию и технологию углеродных адсорбентов. Виктория плюс, СПб (2013). 409 с
- Q.Z. Xue, X. Zhang. Carbon 43, 760 (2005)
- О. Gunnarson. Rev. Mod. Phys. 69, 575 (1997)
- В.И. Березкин. Письма в ЖЭТФ 83, 455 (2006)
- В.И. Березкин, В.В. Попов. ФТТ 49, 1719 (2007)
- В.И. Березкин, В.В. Попов, М.В. Томкович. ФТТ 59, 601 (2017)
- C.A. Klein. Rev. Mod. Phys. 34, 56 (1962)
- Краткая химическая энциклопедия / Под ред. И.Л. Кнунянца. Сов. энциклопедия, М. (1967). Т. 5. 590 с
- M.S. Dresselhaus, G. Dresselhaus. Adv. Phys. 30, 139 (1981)
- С.В. Шулепов. Физика углеродных материалов. Металлургия, Челябинск (1990). 336 с
- П.С. Киреев. Физика полупроводников. Высш. шк., М. (1975). 584 с
- D.B. McWhan, T.M. Rice, P.H. Schmidt. Phys. Rev. 177, 1063 (1969)
- J.C. Nickerson, R.M. White, K.N. Lee, R. Bachmann, T.H. Geballe, G.W. Hull, Jr. Phys. Rev. B 3, 2030 (1971)
- H.M. Jaeger, D.B. Haviland, B.G. Orr, A.M. Goldman. Phys. Rev. B 40, 182 (1989)
- Л.С. Парфеньева, Т.С. Орлова, Н.Ф. Картенко, Н.В. Шаренкова, Б.И. Смирнов, И.А. Смирнов, H. Misiorek, A. Jezowski, T.E. Wilkes, K.T. Faber. ФТТ 52, 1045 (2010)
- В.В. Попов, Т.С. Орлова, E. Enrique Magarino, M.A. Bautista, J. Martinez-Fernandez. ФТТ 53, 259 (2011)
- I. Lazar, G. Lazar. J. Non-Cryst. Solids 352, 2096 (2006)
- K. Seeger. Semiconductor physics. Springer-Verlag, Wien- N. Y. (1973). XV+514 р. [К. Зеегер. Физика полупроводников. Мир, М. (1977). 615 с.]
- B.I. Altshuler, A.G. Aronov. In: Electron-electron interactions in disordered systems. Ser. Modern problems in condensed matter science. V. 10 / Eds A.L. Efros, M. Pollak. North-Holland, Amsterdam, etc. (1985). P. 1
- P.A. Lee, T.V. Ramakrishnan. Rev. Mod. Phys. 57, 287 (1985)
- Т.Л. Макарова. ФТП 35, 257 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.