Методами квантовой химии исследована способность ряда собственных дефектов в SiO₂ захватывать электроны и дырки. Установлено, что двухкоординированный атом кремния с двумя неспаренными электронами-силиленовый центр (=Si:) и кремний-кремниевая связь-кислородная вакансия (=Si-Si=) являются электрон-дырочными ловушками в SiO₂. Исследованы свойства дефекта, представляющего собой ассоциат двух указанных выше центров, и установлено, что этот дефект может захватывать электроны и дырки, т. е. является амфотерным дефектом в SiO₂. Спектр оптического поглощения дефекта практически совпадает со спектром оптического поглощения оксирадикала (=Si-O^·) в диоксиде кремния. Работа поддержана грантом N 116 СО РАН.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.