Издателям
Вышедшие номера
Транспортные свойства графена в области его интерфейса с водной поверхностью
Бутко А.В.1, Бутко В.Ю.1,2, Лебедев С.П.1,3, Смирнов А.Н.1, Давыдов В.Ю.1, Лебедев А.А.1, Кумзеров Ю.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
Email: vladimirybutko@gmail.com
Поступила в редакцию: 16 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.

Оптимизирован рост графена путем термического разложения карбида кремния при температуре ~1400oC в условиях вакуума ~10-6 Torr. С использованием рамановской спектроскопии проведена оценка средней толщины полученного графена (2-4 монослоя) и продемонстрировано наличие высококачественных участков графена в исследуемых образцах. Установлено, что четырехконтактное сопротивление графена возрастает в области его интерфейса с водой примерно на 25%. Для интерфейса графена с водой в транзисторной геометрии при изменении напряжения между затвором и истоком обнаружен полевой эффект, соответствующий дырочному типу носителей заряда в графене. Работа  частично поддержана проектами РФФИ (14-02-01212) и РНФ (15-12-00027).
  1. Y. Zhang, T. Tang, C. Girit, Z. Hao, M.C. Martin, A. Zettl, M.F. Crommie, Y.R. Shen, F. Wang. Nature 459, 820 (2009)
  2. А.В. Бутко, В.Ю. Бутко. ФТТ 57, 1031 (2015)
  3. С.Ю. Давыдов. ФТТ 56, 816 (2014)
  4. A.V. Babichev, V.E. Gasumyants, V.Y. Butko. J. Appl. Phys. 113, 076 101 (2013)
  5. А.В. Бабичев, В.Ю. Бутко, М.С. Соболев, Е.В. Никитина, Н.В. Крыжановская, А.Ю. Егоров. ФТП 46, 815 (2012)
  6. J.L. Achtyl, I.V. Vlassiouk, P.F. Fulvio, S.M. Mahurin, S. Dai, F.M. Geiger. J. Am. Chem. Soc. 135, 979 (2013)
  7. P.K. Ang, W. Chen, A.T. Shen Wee, K.P. Loh. J. Am. Chem. Soc. 130, 14 392 (2008)
  8. W. Fu, C. Nef, O. Knopfmacher, A. Tarasov, M. Weiss, M. Calame, C. Schonenberger. Nano Lett.  11, 3597 (2011)
  9. M.H. Lee, B.J. Kim, K.H. Lee, I.S. Shin, W. Huh, J.H. Cho, M.S. Kang. Nanoscale 7, 7540 (2015)
  10. A.C. Ferrari, J.C. Meyer, V. Scardaci, C. Casiraghi, M. Lazzeri, F. Mauri, S. Piscanec, D. Jiang, K.S. Novoselov, S. Roth, A.K. Geim. Phys. Rev. Lett. 97, 187 401 (2006)
  11. A. Reina, X. Jia, J. Ho, D. Nezich, H. Son, V. Bulovic, M.S. Dresselhaus, J. Kong. Nano Lett.  9, 30 (2009)
  12. М.А. Pimenta, G. Dresselhaus, M.S. Dresselhaus, L.G. Cancado, A. Jorio, R. Saito. Phys. Chem. Chem. Phys. 9, 1276 (2007)
  13. V. Podzorov, V.M. Pudalov, M.E. Gershenson. Appl. Phys. Lett. 82, 1739 (2003)
  14. V.Y. Butko, X. Chi, D.V. Lang, A.P. Ramirez. Appl. Phys. Lett. 83, 4773 (2003)
  15. V.Y. Butko, X. Chi, A.P. Ramirez. Solid State Commun. 128, 431 (2003)
  16. L.H. Hess, M.V. Hauf, M. Seifert, F. Speck, T. Seyller, M. Stutzmann, I.D. Sharp, J.A. Garrido. Appl. Phys. Lett. 99, 033 503 (2011)
  17. T. Feng, D. Xie, G. Li, J. Xu, H. Zhao, T. Ren, H. Zhu. Carbon 78, 250 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.