Для пленок Ni, получаемых магнетронным распылением при давлении рабочего газа P, соответствующем режиму пролета атомов распыленного материала мишени в области между мишенью и подложкой, близкому к бесстолкновительному, изучено влияние полярности напряжения смещения подложки U_s на микроструктуру, кристаллографическую текстуру и магнитные свойства пленок толщиной d~ 15-420 nm. Показано, что при U_s~ -100 V формируются пленки с текстурой Ni(111), микроструктура и магнитные параметры которых почти не меняются с толщиной. При U_s~ +100 V формируются пленки Ni(200), магнитные свойства и микроструктура которых существенно зависят от толщины d, что проявляется в наличии критической толщины d^*~ 150 nm, когда структура пленки по толщине становится неоднородной, петли перемагничивания изменяются от прямоугольных к закритическим и формируется полосовая доменная структура. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант N 16-37-60052).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.