Осаждение текстурированных пленок NiFe(200) и NiFe(111) на подложки Si/SiO2 магнетронным распылением на постоянном токе
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), 16-37-60052
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), 16-57-00153
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), 14-07-00549
Джумалиев А.С.1,2, Никулин Ю.В.
1,2, Филимонов Ю.А.1,2,3
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
3Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А., Саратов, Россия
Email: dzhas@yandex.ru, yvnikulin@gmail.com
Поступила в редакцию: 27 октября 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.
Исследовано влияние температуры Tsub и напряжения смещения Ubias подложки на текстуру пленок NiFe с толщиной d~ 30-340 nm, полученных магнетронным распылением на постоянном токе на подложках Si(111)/SiO2 при давлении рабочего газа P~0.2 Pa. Показано, что пленки, выращенные при комнатной температуре подложки, имеют текстуру (111), которая улучшается при отрицательном напряжении смещения. Осаждение пленок на заземленную (Ubias~ 0) подложку, нагретую до температуры Tsub~ 440-640 K, приводит к формированию текстурированных пленок NiFe(200). Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (гранты N 13-07-01023, 14-07-31107, 14-07-00549).
- Electrochemical nanotechnologies / Eds T. \=Osaka, M. Datta, Y. Shacham-Diamand. Springer (2009). 279 p
- Б.Г. Лившиц, В.С. Крапошин, Я.Л. Линецкий. Физические свойства металлов и сплавов. Металлургия, М. (1980). 318 с
- E. Klokholm, J.A. Aboaf. J. Appl. Phys. 52, 2474 (1981)
- V.V. Kruglyak, S.O. Demokritov, D. Grundler. J. Phys. D 43, 264 001 (2010)
- T.L. Hylton, K.R. Coffey, M.A. Parker, J.K. Howard. Science 261, 1021 (1993)
- G.A. Prinz. Science 282, 1660 (1998)
- L. Haifeng. M. Jidong, Y. Guanghua, L. Shibin, Z. Hongchen, Z. Femgwu. Chin. Sci. Bull. 48, 1087 (2003)
- K. Yamanoi, S. Yakata. T. Kimura, T. Manago. Jpn. J. Appl. Phys. 52, 083 001 (2013)
- H. Funaki, S. Okamoto, O. Kitakami, Y. Shimada. Jpn. J. Appl. Phys. 33, L1304 (1994)
- J.C.A. Huang, T.E. Wang, C.C. Yu, Y.M. Hu, P.B. Lee, M.S. Yang. J. Cryst. Growth 171, 442 (1997)
- H. Gong, M. Rao, D.E. Laughlin, D.N. Lambeth. J. Appl. Phys. 85, 5750 (1999)
- I. Hashim, H.A. Atwater. J. Appl. Phys. 75, 6516 (1994)
- O.D. Roshchupkina, T. Strache, J. McCord, A. Mucklich, C. Nahtz, J. Grenzer. Acta Mater. 74, 278 (2014)
- Y.-Y. Chen, C.-W. Chen, T.-H. Wu. Appl. Surf. Sci. 351, 946 (2015)
- А.С. Джумалиев, Ю.В. Никулин, Ю.А. Филимонов. Наноинженерия 2, 24 (2013)
- А.С. Джумалиев, Ю.В. Никулин, Ю.А. Филимонов. Письма в ЖТФ 39, 21, 10 (2013)
- Ю.В. Никулин. Автореф. канд. дис. Саратов. филиал Ин-та радиотехники и электроники РАН, Саратов (2014). 21 с
- Y.C. Feng, D.E. Laughlin, D.N. Lambeth. J. Appl. Phys. 76, 7311 (1994)
- Z. Li, H. Xu, S. Gong. J. Phys. Chem. B 108, 15 165 (2004)
- Л.М. Ковба, В.К. Трунов. Рентгенофазовый анализ. Изд-во МГУ, М. (1976). 183 с
- G. Nahrwold, J.M. Scholtyssek, S. Motl-Ziegler, O. Albrecht, U. Merkt, G. Meier. J. Appl. Phys. 108, 013 907 (2010)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.