Вышедшие номера
Осаждение текстурированных пленок NiFe(200) и NiFe(111) на подложки Si/SiO2 магнетронным распылением на постоянном токе
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), 16-37-60052
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), 16-57-00153
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), 14-07-00549
Джумалиев А.С.1,2, Никулин Ю.В. 1,2, Филимонов Ю.А.1,2,3
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
3Саратовский государственный технический университет им. Ю.А. Гагарина, Саратов, Россия
Email: dzhas@yandex.ru, yvnikulin@gmail.com
Поступила в редакцию: 27 октября 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.

Исследовано влияние температуры Tsub и напряжения смещения Ubias подложки на текстуру пленок NiFe с толщиной d~ 30-340 nm, полученных магнетронным распылением на постоянном токе на подложках Si(111)/SiO2 при давлении рабочего газа P~0.2 Pa. Показано, что пленки, выращенные при комнатной температуре подложки, имеют текстуру (111), которая улучшается при отрицательном напряжении смещения. Осаждение пленок на заземленную (Ubias~ 0) подложку, нагретую до температуры Tsub~ 440-640 K, приводит к формированию текстурированных пленок NiFe(200). Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (гранты N 13-07-01023, 14-07-31107, 14-07-00549).
  1. Electrochemical nanotechnologies / Eds T. \=Osaka, M. Datta, Y. Shacham-Diamand. Springer (2009). 279 p
  2. Б.Г. Лившиц, В.С. Крапошин, Я.Л. Линецкий. Физические свойства металлов и сплавов. Металлургия, М. (1980). 318 с
  3. E. Klokholm, J.A. Aboaf. J. Appl. Phys. 52, 2474 (1981)
  4. V.V. Kruglyak, S.O. Demokritov, D. Grundler. J. Phys. D 43, 264 001 (2010)
  5. T.L. Hylton, K.R. Coffey, M.A. Parker, J.K. Howard. Science 261, 1021 (1993)
  6. G.A. Prinz. Science 282, 1660 (1998)
  7. L. Haifeng. M. Jidong, Y. Guanghua, L. Shibin, Z. Hongchen, Z. Femgwu. Chin. Sci. Bull. 48, 1087 (2003)
  8. K. Yamanoi, S. Yakata. T. Kimura, T. Manago. Jpn. J. Appl. Phys. 52, 083 001 (2013)
  9. H. Funaki, S. Okamoto, O. Kitakami, Y. Shimada. Jpn. J. Appl. Phys. 33, L1304 (1994)
  10. J.C.A. Huang, T.E. Wang, C.C. Yu, Y.M. Hu, P.B. Lee, M.S. Yang. J. Cryst. Growth 171, 442 (1997)
  11. H. Gong, M. Rao, D.E. Laughlin, D.N. Lambeth. J. Appl. Phys. 85, 5750 (1999)
  12. I. Hashim, H.A. Atwater. J. Appl. Phys. 75, 6516 (1994)
  13. O.D. Roshchupkina, T. Strache, J. McCord, A. Mucklich, C. Nahtz, J. Grenzer. Acta Mater. 74, 278 (2014)
  14. Y.-Y. Chen, C.-W. Chen, T.-H. Wu. Appl. Surf. Sci. 351, 946 (2015)
  15. А.С. Джумалиев, Ю.В. Никулин, Ю.А. Филимонов. Наноинженерия 2, 24 (2013)
  16. А.С. Джумалиев, Ю.В. Никулин, Ю.А. Филимонов. Письма в ЖТФ 39, 21, 10 (2013)
  17. Ю.В. Никулин. Автореф. канд. дис. Саратов. филиал Ин-та радиотехники и электроники РАН, Саратов (2014). 21 с
  18. Y.C. Feng, D.E. Laughlin, D.N. Lambeth. J. Appl. Phys. 76, 7311 (1994)
  19. Z. Li, H. Xu, S. Gong. J. Phys. Chem. B 108, 15 165 (2004)
  20. Л.М. Ковба, В.К. Трунов. Рентгенофазовый анализ. Изд-во МГУ, М. (1976). 183 с
  21. G. Nahrwold, J.M. Scholtyssek, S. Motl-Ziegler, O. Albrecht, U. Merkt, G. Meier. J. Appl. Phys. 108, 013 907 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.