Вышедшие номера
Диэлектрическая релаксация, магнитодиэлектрические и магнитоэлектрические взаимодействия в керамике Bi0.6La0.4MnO3
Турик А.В.1,2, Павленко А.В.1,3, Махиборода А.В.2, Резниченко Л.А.1
1Научно-исследовательский институт физики Южного федерального университета, Ростов-на-Дону, Россия
2Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
3Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
Email: turik1934@yandex.ru
Поступила в редакцию: 2 июня 2015 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.

В интервалах температур T = 10-220 K, частот f = 20-106 Hz и магнитных индукций B = 0 - 0.846 T выполнены измерения комплексной диэлектрической проницаемости varepsilon*/varepsilon0 =varepsilon '/varepsilon0-ivarepsilon''/varepsilon0 керамики манганита висмута-лантана Bi0.6La0.4MnO3. При температуре 80 K в спектрах varepsilon'/varepsilon0(f) и varepsilon''/varepsilon0(f) обнаружена диэлектрическая релаксация, являющаяся суперпозицией вкладов нескольких релаксационных процессов, каждый из которых приоритетен в своем частотном диапазоне: I - f < 103 Hz, II - 103 < f < 105 Hz, III - 105<f<106 Hz. В области = 10-120 K аномальное поведение varepsilon '/varepsilon0(T) и varepsilon''/varepsilon0(T) наблюдается вблизи температуры перехода из парамагнитной в ферромагнитную фазу и обусловлено андерсоновской локализацией носителей заряда на спиновом беспорядке. Работа выполнена при финансовой поддержке МОН РФ (базовая и проектная части госзадания, проект N 1927, темы N 213.01-2014/012-ВГ и 3.1246.2014/К), ФЦП (соглашение N 14.575.21.0007) и СП-1689.2015.3.