В слоистых монокристаллах TlGaS₂ исследованы частотные зависимости тангенса угла диэлектрических потерь tgdelta, диэлектрической проницаемости varepsilon и ac-проводимости sigma_ac поперек слоев в диапазоне частот f=5· 10⁴-3· 10⁷ Hz. Обнаружена значительная дисперсия tgdelta в области частот 10⁶-3· 10⁷ Hz. Диэлектрическая проницаемость образцов из TlGaS₂ в изученной области частот изменялась от 26 до 30. В частотной области 5· 10⁴-10⁶ Hz наблюдается f^0.8-закон для ac-проводимости, а при f>10⁶ Hz sigma_ac~ f². Установлено, что поперек слоев монокристаллов TlGaS₂ в переменных электрических полях частотой 5· 10⁴-10⁶ Hz имеет место перескоковый механизм переноса заряда по локализованным в окрестности уровня Ферми состояниям. Оценены плотности состояний вблизи уровня Ферми N_F=2.1· 10¹⁸ eV^-1· 10^-3, среднее время прыжка tau=2 mus носителя заряда из одного локализованного состояния в другое и средняя длина прыжка R=103 Angstrem.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.