Аморфные пленки, содержащие нанокристаллические включения a-nc-GaN, кодопированы Er в процессе роста в плазме магнетронного разряда. Интенсивное внутрицентровое излучение ионов Er³⁺ в области длин волн lambda=1510-1550 nm получено только после многостадийного отжига при температурах 650-770^oC. Возбуждение внутрицентровой эмиссии осуществлялось опосредованно путем генерации электронно-дырочных пар в матрице a-nc-GaN импульсным азотным лазером. Далее рекомбинационный процесс через систему локализованных состояний в запрещенной зоне транслировал энергию возбуждения ионам Er³⁺. Измерения спектров фотолюминесценции (ФЛ) на разных стадиях отжига при различных температурах в интервале 77-500 K и с разрешением во времени при затухании позволили установить штарковскую природу спектра ФЛ, выявить динамический и неравновесный характер перераспределения энергии внутрицентрового излучения между штарковскими модами в процессе релаксации импульса возбуждения и на этой основе объяснить доминирующий вклад горячих мод и сложную кинетику затухания.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.