Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние давления кислорода на текстуру пленки магнетита, выращенного методом реактивного осаждения на поверхности SiO2/Si(001)
Балашев В.В.1,2, Викулов В.А.1, Писаренко Т.А.1,2, Коробцов В.В.1,2
1Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток, Россия 
2Школа eстественных наук Дальневосточного федерального университета, Владивосток, Россия
2Школа eстественных наук Дальневосточного федерального университета, Владивосток, Россия
Email: balashev@mail.dvo.ru
Поступила в редакцию: 2 июня 2015 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2015 г.
Методом реактивного осаждения Fe в атмосфере кислорода на окисленной поверхности подложки кремния Si(001) выращены пленки магнетита (Fe3O4) толщиной 75 nm. Рост пленок оксида железа проводился при разных значениях давления O2. Структура пленок контролировалась в процессе их роста методом дифракции быстрых электронов на отражение. Установлено, что только в определенном диапазоне давлений O2 наблюдается рост пленок магнетита с текстурой. Уменьшение давления кислорода приводит к росту пленки Fe3O4 без текстуры, тогда как реактивное осаждение при значениях давления выше верхней границы указанного диапазона приводит к формированию кристаллитов гематита (alpha-Fe2O3) в пленке Fe3O4.
- Z. Zhang, S. Satpathy. Phys. Rev. B 44, 13 319 (1991)
- S. Tiwari, R. Prakash, R.J. Choudhary, D.M. Phase. J. Phys. D 40, 4943 (2007)
- M.L. Parames, J. Mariano, Z. Viskadourakis, N. Popovici, M.S. Rogalski, J. Giapintzakis, O. Conde. Appl. Surf. Sci. 252, 4610 (2006)
- C. Boothman, A.M. Sanchez, S. van Dijken. J. Appl. Phys. 101, 123 903 (2007)
- C. Park, Y. Peng, J-G. Zhu, D.E. Laughlin, R.M. White. J. Appl. Phys. 97, 10C303 (2005)
- X. Wang, Y. Sui, J. Tang, C. Wang, X. Zhang, Z. Lu, Z. Liu, W. Su, X. Wei, R. Yu. Appl. Phys. Lett. 92, 012 122 (2008)
- Z.L. Lu, M.X. Xu, M.Q. Zou, S. Wang, X.C. Liu, Y.B. Lin, J.P. Xu, Z.H. Lu, J.F. Wang, L.Y. Lv, F.M. Zhang, Y.W. Du. Appl. Phys. Lett. 91, 102 508 (2007)
- W.B. Mi, Hui Liu, Z.Q. Li, P. Wu, E.Y. Jiang, H.L. Bai. J. Phys. D: Appl.Phys. 39, 5109 (2006)
- Y. Kim, M. Oliveria. J. Appl. Phys. 75, 431 (1994)
- G. Zhang, C. Fan, L. Pan, F. Wang, P. Wu, H. Qiu, Y. Gu, Y. Zhang. J. Magn. Magn. Mater. 293, 737 (2005)
- В.В. Балашев, В.В. Коробцов, Т.А. Писаренко, Л.А. Чеботкевич. ЖТФ 81, 10, 122 (2011)
- В.А. Викулов, В.В. Балашев, Т.А. Писаренко, А.А. Димитриев, В.В. Коробцов. Письма в ЖТФ 38, 7, 73 (2012)
- E.J.W. Verwey, E.L. Heilmann. J. Chem. Phys. 15, 174 (1947)
- R.M. Cornell, U. Schwertmann. The iron oxides: structure, properties, reactions, occurrences and uses. Wiley-VCH, Weomjeim, N.Y. (1996). P. 34
- Y. Bando, S. Horio, T. Takada. Jap. J. Appl. Phys. 17, 1037 (1978)
- F. Tang, T. Parker, G.-C. Wang, T.-M. Lu. J. Phys. D 40, 427 (2007)
- T.A. Pisarenko, V.V. Korobtsov, V.A. Vikulov, A.A. Dimitriev, V.V. Balashev. Solid State Phenomena 213, 51 (2014)
- M.-F.Al-Kuhaili, M. Saleem, S.M.A. Durrani. J. Alloys Compd. 521, 178 (2012)
- C. Ortiz, G. Lim, M.M. Chen, G. Castillo. J. Mater. Res. 3, 344 (1988)
- I. Petrov, P.B. Barna, L. Hultman, J.E. Greene. J. Vac. Sci. Technol. A 21, 117 (2003)
- P.B. Barna, M. Adamik. In: Science and technology of thin films / Eds F.C. Matacotta, G. Ottaviani. World Scientific, Singapore. (1995). Pt. 1. P. 1-29
- X. Huang, J. Ding. J. Korean Phys. Soc. 62, 2228 (2013)
- D. Yokoyama, K. Namiki, H. Fukasawa, J. Miyazaki, K. Nomura, Y. Yamada. J. Radioanal. Nucl. Chem. 272, 631 (2007)
- J. Hrbek. Thin Solid Films 42, 185 (1977)
- K. Hammoum, T.El Asri, A. Chahboune, H. Aouchiche, A. Kaddouri. Eur. Phys. J. D 61, 469 (2011)
- S.M. Watts, K. Nakajima, S. van Dijken, J.M.D. Coey. J. Appl. Phys. 95, 7465 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
