Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Изотермическая релаксация тока в легированных монокристаллах силленита Bi₁₂SiO₂₀ : Ge

Аванесян В.Т.¹, Абрамова Н.М.¹

¹Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия Herzen State Pedagogical University of Russia, St. Petersburg, Russia

Herzen State Pedagogical University of Russia, St. Petersburg, Russia

Email: avanesyan@mail.ru

Поступила в редакцию: 30 апреля 2015 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены результаты изучения переходных изотермических токов в образцах монокристалла силиката висмута с примесью германия Bi₁₂SiO₂₀ : Ge при различных напряжениях и температурах. Установлено, что в исследуемых образцах в постоянном электрическом поле протекают электронные процессы, обусловленные накоплением в них значительных зарядов. Релаксация тока при различных температурах отвечает механизму переноса заряда, сформированного на энергетическом уровне в запрещенной зоне. В изученных кристаллах определены микропараметры, в частности, энергия активации локального уровня и частотный фактор, характеризующие релаксационные процессы, протекающие в исследуемом материале.

P. Gunter, J.P. Huignard. Photorefractive Materials and Their Applications. Topics in Applied Physics. Springer-Verlag, Berlin (1988--1989). V. 61, 62
В.К. Малиновский, О.А. Гудаев, В.А. Гусев, С.И. Деменко. Фотоиндуцированные явления в силленитах. Наука, Новосибирск. (1990). 160 с
С.Ф. Радаев, В.И. Симонов. Кристаллография 37, 914 (1992)
А.В. Егорышева. Неорган. материалы, 45, 10, 1253 (2009)
В.Т. Аванесян, М.П. Севрюгина. ФТТ 53, 5, 881 (2011)
В.Т. Аванесян, Н.М. Абрамова. ФТТ 57, 6, 1084 (2015)
Т.В. Панченко, А.А. Дяченко, О.В. Хмеленко. ФТТ 57, 4, 753 (2015)
G. Micocci, A. Rizzo, P. Siciliano, A. Tepore. Phys. Status Solidi. 114, 1, 253 (1989)
A.K. Jonscher. Universal relaxation law. Chelsea Dielectric Press, London (1996). 415 p
E.V. Zenova, N.D. Karpechenkov, V.A. Chernyshev. Measurement Techniques 51, 5, 516 (2008)
G.S. Nadkarni, J.G. Simmons. Phys. Rev. B 7, 8, 3719 (1973)
T.I. Milenov, M.N. Veleva, D.P. Petrova, M.M. Gospodinov, V.M. Skorikov, A.V. Egorysheva, Yu.F. Kargin, A.Ya. Vasil'ev. Inorgan.Mater. 41, 2, 152 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель