Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Формирование фторсодержащих дефектов и нанокристаллов в SiO₂ при имплантации ионов фтора, кремния и германия: компьютерное моделирование и фотолюминесцентная спектроскопия

Гуськова О.П.^1,2, Воротынцев В.М.¹, Абросимова Н.Д.², Михайлов А.Н.³, Тетельбаум Д.И.³, Шоболов Е.Л.²

¹Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия Alekseev State Technical University, Nizhny Novgorod, Russia

Alekseev State Technical University, Nizhny Novgorod, Russia

²Институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова, Нижний Новгород, Россия
³Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Email: vlad@vorotyn.nnov.ru

Поступила в редакцию: 28 апреля 2015 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Выполнено компьютерное моделирование процессов встраивания атомов фтора в решетку диоксида кремния при ионной имплантации F⁺ и формирования нанокристаллов кремния (германия) в SiO₂ при ионной имплантации Si⁺ (Ge⁺). Расчеты для F проводились методом функционала плотности DFT, а для Si и Ge - путем сочетания методов DFT (в кластерном приближении) и Монте-Карло. Установлена энергетическая выгодность присоединения атомов фтора к одному из атомов кремния с образованием немостикового атома кислорода (НАК) и возникновением энергетического уровня в запрещенной зоне. В случае ионной имплантации моделирование при концентрации растворенных атомов Si (Ge) ~2 at.% демонстрирует образование нанокристаллов (НК) со средним размером ~1 nm. Работа выполнена при поддержке Минобрнауки России в рамках государственного задания (N 3.285.2014/K), в рамках проектной части государственного задания в сфере научной деятельности проект N 10.695.2014/К.

В.С. Першенков, В.Д. Попов, А.В. Шальнов. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС. Энергоатомиздат, М. (1988). 255 с
Д.В. Николаев, И.В. Антонова, О.В. Наумова, В.П. Попов, С.А. Смагулова. ФТП 38, 443 (2003)
J.J. Yang, M.D. Picket, X. Li, D.R. Steward, R.S. Williams. Nat. Nanotechnol. 3, 429 (2008)
Д.И. Тетельбаум, Н.Д. Абросимова, А.Н. Михайлов, О.П. Смелова. Тез. докл. VII Междунар. конф. Кремний-2010". Н.Новгород, 109 (2010)
C.M.S. Rauthan, G.S. Virdi, B.C. Pathak, A.J. Karthigeyan. Appl. Phys. 83, 3668 (1998)
О.П. Гуськова, В.М. Воротынцев, М.А. Фаддеев, Н.Д. Абросимова. Вестн. ННГУ 1, 43 (2013)
Е.Л. Панкратов, О.П. Гуськова, М.Н. Дроздов, Н.Д. Абросимова, В.М. Воротынцев. ФТП 48, 631 (2014)
Е.В. Чупрунов, А.Ф. Хохлов, М.А. Фаддеев. Кристаллография. ИФМЛ, M. (2000). 494 с
В. Кон. УФН 172, 336 (2002)
J.P. Perdew, Y. Wang. Phys. Rev. B 45, 13244 (1992)
Quantum ESPRESSO home page http://www.quantum-espresso.org/
E. Zhang, J. Sun, Z. Zhang, C. Qian, J. Jiang, X. Wang, Y. En, H. Luo, Q. Shi, X. Zhang. Semicond. Sci. Technol. 21, 287 (2006)
Н.Д. Абросимова, М.Н. Минеев, В.К. Киселев, О.П. Гуськова. Тезисы докл. Российско-Белорусской науч.-техн. конф. Элементная база отечественной радиоэлектроники", Н. Новгород, Ч. 2, 71 (2013)
N. Metropolis, A. Rosenbluth, M. Roesenbluth, A. Teller, E. Teller. J. Chem. Phys. 21, 1087 (1953)
M.J. Frisch, G.W. Trucks, H.B. Schlegel. Gaussian 03, Revision C.01, Gaussian, Inc. Wallingford CT (2004)
Ю.И. Горлов, В.А. Заец, А.А. Чуйко. Теоретическая и экспериментальная химия 5, 533 (1986)
A. Chatterjee, T. Iwasaki, T. Ebina. Int. J. Mol. Sci. 2, 40 (2001)
Т.В. Перевалов, А.В. Шапошников, В.А. Гриценко. Изв. РГУ им. А.И. Герцена 79, 164 (2009)
Методы Монте-Карло в статистической физике / Под ред. К. Биндер. Мир, М. (1982). 400 с
А.В. Зверев, И.Г. Неизвестный, Н.Л. Шварц, З.Ш. Яновицкая. Рос. нанотехнологии 3, 175 (2008)
А.Ф. Лейер, Л.Н. Сафронов, Г.А. Качурин. ФТП 33, 389 (1999)
A. Barranco, F. Yubero, J.P. Espinos, J.P. Holgado, A. Caballero, R. Gonzalez-Elipe, J.A. Mejias. Vacuum 67, 491 (2002)
K. Kajihara, L. Skuja, M. Hirano, H. Hosono. Appl. Phys. Lett. 79, 1757 (2001)
T. Gao, S. Tong, X. Wu, X. Bao, G.G. Siu. Phys. Lett. A 253, 234 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель