Эпитаксиальные слои фторида никеля на Si(111): процессы роста и стабилизация орторомбической фазы
Банщиков А.Г.1, Голосовский И.В.2, Крупин А.В.1, Кошмак К.В.1, Соколов Н.С.1, Черненков Ю.П.2, Яговкина М.А.1, Улин В.П.1, Tabuchi M.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
3Synchrotron Radiation Research Center, Nagoya University, Nagoya, Japan
Email: aban@fl.ioffe.ru
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.
Изучены процессы роста и кристаллическая структура слоев NiF2 на гетероэпитаксиальных подложках CaF2/Si(111). Показано, что методом молекулярно-лучевой эпитаксии при температуре 350-450oC удается реализовать устойчивый эпитаксиальный рост метастабильной орторомбической фазы NiF2 (структурный тип CaCl2), при этом толщина слоя фторида никеля в метастабильной фазе может достигать 1 mum. Методами рентгеновской дифрактометрии определены параметры элементарной ячейки в слоях орторомбического фторида никеля: a=4.5680(1) Angstrem, b=4.7566(3) Angstrem, c=3.0505(2) Angstrem, которые очень близки к известным для этой фазы значениям. Установлено, что в широком диапазоне параметров роста выполняется условие (100)NiF2|| (111)CaF2, что согласуется с результатами качественного кристаллографического анализа элементов подобия рассматриваемых структур. При этом в плоскости гетерограницы наблюдается образование доменной текстуры, характер которой зависит от температуры роста и толщины слоев фторида никеля. Работа поддержана грантами РФФИ N 13-02-00121 и 13-02-12429, грантом российского правительства 14.B25.31.0025, а также грантом EC FP7-2009-IRSES-247518.
- W.H. Meiklejohn, C.P. Bean. Phys. Rev. 102, 1413 (1956)
- V. Skumryev, S. Stoyanov, Y. Zhang, G. Hadjipanayis, D. Givord. J. Nogues. Nature 423, 850 (2003)
- A.K. Kaveev, O.V. Anisimov, A.G. Banshchikov, N.F. Kartenko, V.P. Ulin, N.S. Sokolov. J. Appl. Phys. 98, 013 519 (2005)
- R.N. Kyutt, A.G. Banshchikov, A.K. Kaveev, N.S. Sokolov, A.A. Lomov, Y. Ohtake, M. Tabuchi, Y. Takeda. J. Phys. D 40, 4896 (2007)
- L.M. Azzaria, F. Dachille. J. Phys. Chem. 65, 889 (1961)
- С.С. Кабалкина, С.В. Попова. ДАН СССР 8, 1141 (1964)
- C.C. Кабалкина, Л.Ф. Верещагин, Л.М. Литягина. ФТТ 11, 1040 (1969)
- J.D. Jorgensen, T.G. Worlton. J.C. Jamieson. Phys. Rev. B 17, 2212 (1978)
- I.V. Golosovsky, N.S. Sokolov, A. Gukasov, A. Bataille, M. Boehm, J. Nogues. J. Magn. Magn. Mater. 322, 668 (2010)
- И.В. Голосовский, Н.С. Соколов, А.К. Кавеев, М. Боем, И. Ногес, С. Наннароне. Письма в ЖЭТФ 83, 185 (2006)
- J. Nogues, I.K. Schuller. J. Magn. Magn. Mater. 192, 203 (1999)
- H. Shi, D. Lederman, K.V. O'Donovan, J.A. Borchers. Phys. Rev. B 69, 214 416 (2004)
- S.M. Suturin, V.V. Fedorov, A.G. Banshchikov, D.A. Baranov, K.V. Koshmak, P. Torelli, J. Fujii, G. Panaccione, K. Amemiya, M. Sakamaki, T. Nakamura, M. Tabuchi, L. Pasquali, N.S. Sokolov. J. Phys.: Cond. Matter 25, 046 002 (2013)
- А.Г. Банщиков, К.В. Кошмак, А.В. Крупин, Н.С. Соколов. Письма в ЖТФ 38, 17, 61 (2012)
- A.E. Austin. J. Phys. Chem. Solids 30, 1282 (1969)
- J.C. Jamieson, A.Y. Wu. J. Appl. Phys. 48, 4573 (1977)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
