Издателям
Вышедшие номера
Эпитаксиальные слои фторида никеля на Si(111): процессы роста и стабилизация орторомбической фазы
Банщиков А.Г.1, Голосовский И.В.2, Крупин А.В.1, Кошмак К.В.1, Соколов Н.С.1, Черненков Ю.П.2, Яговкина М.А.1, Улин В.П.1, Tabuchi M.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
3Synchrotron Radiation Research Center, Nagoya University, Nagoya, Japan
Email: aban@fl.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 17 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

Изучены процессы роста и кристаллическая структура слоев NiF2 на гетероэпитаксиальных подложках CaF2/Si(111). Показано, что методом молекулярно-лучевой эпитаксии при температуре 350-450oC удается реализовать устойчивый эпитаксиальный рост метастабильной орторомбической фазы NiF2 (структурный тип CaCl2), при этом толщина слоя фторида никеля в метастабильной фазе может достигать 1 mum. Методами рентгеновской дифрактометрии определены параметры элементарной ячейки в слоях орторомбического фторида никеля: a=4.5680(1) Angstrem, b=4.7566(3) Angstrem, c=3.0505(2) Angstrem, которые очень близки к известным для этой фазы значениям. Установлено, что в широком диапазоне параметров роста выполняется условие (100)NiF2|| (111)CaF2, что согласуется с результатами качественного кристаллографического анализа элементов подобия рассматриваемых структур. При этом в плоскости гетерограницы наблюдается образование доменной текстуры, характер которой зависит от температуры роста и толщины слоев фторида никеля. Работа поддержана грантами РФФИ N 13-02-00121 и 13-02-12429, грантом российского правительства 14.B25.31.0025, а также грантом EC FP7-2009-IRSES-247518.
  1. W.H. Meiklejohn, C.P. Bean. Phys. Rev. 102, 1413 (1956)
  2. V. Skumryev, S. Stoyanov, Y. Zhang, G. Hadjipanayis, D. Givord. J. Nogues. Nature 423, 850 (2003)
  3. A.K. Kaveev, O.V. Anisimov, A.G. Banshchikov, N.F. Kartenko, V.P. Ulin, N.S. Sokolov. J. Appl. Phys. 98, 013 519 (2005)
  4. R.N. Kyutt, A.G. Banshchikov, A.K. Kaveev, N.S. Sokolov, A.A. Lomov, Y. Ohtake, M. Tabuchi, Y. Takeda. J. Phys. D 40, 4896 (2007)
  5. L.M. Azzaria, F. Dachille. J. Phys. Chem. 65, 889 (1961)
  6. С.С. Кабалкина, С.В. Попова. ДАН СССР 8, 1141 (1964)
  7. C.C. Кабалкина, Л.Ф. Верещагин, Л.М. Литягина. ФТТ 11, 1040 (1969)
  8. J.D. Jorgensen, T.G. Worlton. J.C. Jamieson. Phys. Rev. B 17, 2212 (1978)
  9. I.V. Golosovsky, N.S. Sokolov, A. Gukasov, A. Bataille, M. Boehm, J. Nogues. J. Magn. Magn. Mater. 322, 668 (2010)
  10. И.В. Голосовский, Н.С. Соколов, А.К. Кавеев, М. Боем, И. Ногес, С. Наннароне. Письма в ЖЭТФ 83, 185 (2006)
  11. J. Nogues, I.K. Schuller. J. Magn. Magn. Mater. 192, 203 (1999)
  12. H. Shi, D. Lederman, K.V. O'Donovan, J.A. Borchers. Phys. Rev. B 69, 214 416 (2004)
  13. S.M. Suturin, V.V. Fedorov, A.G. Banshchikov, D.A. Baranov, K.V. Koshmak, P. Torelli, J. Fujii, G. Panaccione, K. Amemiya, M. Sakamaki, T. Nakamura, M. Tabuchi, L. Pasquali, N.S. Sokolov. J. Phys.: Cond. Matter 25, 046 002 (2013)
  14. А.Г. Банщиков, К.В. Кошмак, А.В. Крупин, Н.С. Соколов. Письма в ЖТФ 38, 17, 61 (2012)
  15. A.E. Austin. J. Phys. Chem. Solids 30, 1282 (1969)
  16. J.C. Jamieson, A.Y. Wu. J. Appl. Phys. 48, 4573 (1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.