Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Зависимость спектров носителей заряда от концентрации дефектов в теллуриде серебра

Алиев Ф.Ф.¹, Эминова В.И.¹

¹Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан Institute of Physics, National Academy of Sciences of Azerbaijan, Baku, Azerbaijan

Institute of Physics, National Academy of Sciences of Azerbaijan, Baku, Azerbaijan

Email: farzali@physics.ab.az.

Поступила в редакцию: 12 января 2015 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2015 г.

PDF версия

Рассмотрено изменение ширины запрещенной зоны в зависимости от концентрации электрически активных дефектов в телллуриде серебра. Установлено, что электроотрицательные дефекты приводят к увеличению ширины запрещенной зоны varepsilon_g₀, а электроположительные дефекты - к уменьшению varepsilon_g₀. Выявлено, что в Ag₂Te при добавках ≥0.75 аt.% Те величина varepsilon_g₀ оказалась необычно малой (~0.008 eV). Если учесть ее температурную зависимость varepsilon_g=(0.008-7·10^-5T) eV, то при T>100 K имеет место бесщелевое состояние. За счет изменения концентрации электроактивных дефектов теллурид серебра приобретает n- и p-тип проводимости в отличие от другиx халькогенидов серебра (Ag₂S и Ag₂Sе).

Ю.А. Гуревич, Ю.И. Харкац. УФН 136, 4, 693 (1982)
S. Miyatani. J. Phys. Soc. Jpn. 13, 4, 341 (1958)
R. Dalvin, R. Gill. Phys.Rev. 143, 2, 666 (1966)
P. Taylor, C. Wood. J. Appl. Phys. 32, 1, 1 (1961)
C. Wood, V. Harrap, W.M. Kane. Phys. Rev. 121, 4, 978 (1961)
A. Addel, S. Gromb. J. Phys. Chem. Sol. 44, 2, 95 (1983)
А.С. Королева, В.Ю. Мартынов, П.П. Петров. Тез. 2-й Всесоюз. конф. ЧГУ "Материаловедение халькогенидных кислородсодержащих полупроводников". Черновцы (1986). Ч. 2. С. 47
H.S. Schnyders, M.-L. Saboung, T.F. Rosenbaum. Appl. Phys. Lett. 76, 1710 (2000)
Ф.Ф. Алиев, Э.М. Керимова, С.А. Алиев. ФТП 36, 8, 932 (2002)
Ф.Ф. Алиев, М.Б. Джафаров. ФТП 42, 11, 1297 (2008)
F.F. Aliev, M.B. Jafarov, V.I. Eminova, G.Z. Asgerova, R.A. Hasanova. Acta. Phys. Pol. A 120, 6, 1061 (2011)
Ч.А. Драбкин, Б.Я. Мойжес. ФТП 21, 9, 1715 (1987)
Б.М. Аскеров. Кинетические эффекты в полупроводниках. Наука, Л. (1970). 303 с
C.M. Fang, R.A. de Groot, G.A. Wigers. J. Phys. Chem. Solids 63, 457 (2002)
М.Б. Джафаров, Ф.Ф. Алиев, Р.А. Гасанова, А.А. Саддинова. ФТП 46, 7, 884 (2012)
А.Н. Крестовников, Н.М. Махмудова, В.М. Глазов. Изв. АН СССР. Неорган. материалы 4, 615 (1968)
A. Van Der Lee, J.I. De Boer. Acta Cryst. C 49, 1444 (1993)
H. Rau. J. Phys. Chem. Solids 35, 1553 (1974)
K. Weiss, Ber. Runsenges. Phys. Chem. 75, 338 (1969)
Г.Б. Абдуллаев, Т.Д. Джафаров. Атомная диффузия в полупроводниковых структурах. Атомиздат, M. (1980). 280 c
H. Rau. Solid State Commun. 16, 1041 (1975)
С.А. Алиев, Ф.Ф. Алиев. Извес. АН СССР. Неорган. материалы 24, 2, 341 (1988)
Ф.Ф. Алиев. Неорган. материалы 38, 10, 1184 (2002)
O. Von. Bottger, W. Meister. Ann. Phys. 7. Folge 9, 8, 367 (1962)
F. Herman, G.D. Kuglin, K.F. Cuff, R.L. Kortum. Phys. Rev. Lett. 11, 541 (1968)
С.А. Алиев. B кн.: Явления переноса заряда и тепла в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках. Элм, Баку (2008). 293 с
Л.С. Королева, И.Е. Лопатинский, П.П. Петров. Тез. 2-й Всесоюз. конф. ЧГУ "Материаловедение халькогенидных кислородсодержащих полупроводников". Черновцы (1986). Ч. 2. С. 46
С.А. Алиев, З.Ф. Агаев, Р.И. Селим-заде. ФТП 42, 12, 1415 (2008)
I.M. Tsidilkovskii, M. Girant, T.G. Kharus, E.A. Neifeld. Phys. Status Solidi B 64, 2, 717 (1974)
C.T. Elliott, I.I. Spain. Solid State Commun. 8, 24 (1970)
A. Manger, J. Friedee. Phys. Rev. 12, 2412 (1975)
L. Liu, E. Tosatti. Phys. Rev. Lett. 23, 772 (1969)
C.T. Elliot, I. Melngailis, T.C. Harman, I.A. Kafalas, W.C. Kernan. Phys. Rev. B 5, 8, 2985 (1972)
Б.Л. Гельмонт. ФТП 9, 10, 1912 (1975)
Б.И. Шкловски, А.Л. Эфрос. B кн.: Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979). 416 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель