Вышедшие номера
Динамика поляризованной магнитолюминесценции локализованных экситонов в смешанных кристаллах GaSe-GaTe
Старухин А.Н.1, Нельсон Д.К.1, Разбирин Б.С.1, Федоров Д.Л.1, Сюняев Д.К.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: a.starukhin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 23 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2015 г.

Методом спектроскопии с временным разрешением исследована индуцированная внешним магнитным полем поляризация излучения триплетных локализованных экситонов в одноосных твердых растворах GaSe-GaTe (геометрия Фойгта). Возникающая в магнитном поле линейная поляризация излучения обусловлена различным поведением в поле компонент излучения, поляризованных с E|| B и E normal B (pi- и sigma-компонент соответственно). В стационарных условиях возбуждения неполяризованным светом интенсивность pi-компоненты в поле увеличивается, а интенсивность sigma-компоненты плавно уменьшается при увеличении поля. Установлено, что зависимости интенсивностей pi- и sigma-компонент излучения от магнитного поля, Ipi(B,t) и Isigma(B,t), существенно меняются в течение времени жизни возбужденных состояний t. Различная скорость затухания pi- и sigma-компонент приводит к сильной зависимости степени индуцированной магнитным полем линейной поляризации экситонного излучения от времени t. Степень линейной поляризации излучения в максимуме экситонной полосы люминесценции в полях B≥0.4 T при больших t приближается к 1. Предложено теоретическое описание наблюдаемых зависимостей Ipi(B,t) и Isigma(B,t). Из сравнения теории и эксперимента определены параметры тонкой структуры и времена жизни триплетных экситонов в различных спиновых состояниях. Работа выполнена при поддержке РФФИ (проект N 13-02-00891).