Вышедшие номера
Электрический транспорт в графене с различными интерфейсными условиями
Бутко А.В.1,2, Бутко В.Ю.1,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: vladimirybutko@gmail.com
Поступила в редакцию: 8 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.

В интервале от комнатной температуры до температуры кипения азота исследовалось влияние интерфейса на электросопротивление химически осаженного из газовой фазы (CVD) графена. Сопротивление монослойного CVD-графена для случаев соприкосновения графена с подложками Si/SiO2 и GaAs демонстрирует близкую к линейной металлическую температурную зависимость с практически совпадающим наклоном нормированных кривых. Данный наклон соответствует росту сопротивления графена на ~8% при нагреве от температуры кипения азота до комнатной. В этом же температурном интервале для четырехслойного графена наблюдается полупроводниковая температурная зависимость. Установлено, что напыление органического изолятора (парилена) на четырехслойный графен увеличивает наклон этой зависимости на ~5% и при комнатной температуре повышает сопротивление графена на ~20%. Работа частично поддержана проектом РФФИ N 14-02-01212 и Программой фундаментальных исследований Президиума РАН.
  1. M. Orlita, C. Faugeras, P. Plochocka, P. Neugebauer, G. Martinez, D.K. Maude, A.-L. Barra, M. Sprinkle, C. Berger, W.A. de Heer, M. Potemski. Phys. Rev. Lett. 101, 267 601 (2008)
  2. Y. Zhang, T. Tang, C. Girit, Z. Hao, M.C. Martin, A. Zettl, M.F. Crommie, Y.R. Shen, F. Wang. Nature 459, 820 (2009)
  3. С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев. ФТТ 57, 200 (2015)
  4. С.Ю. Давыдов. ФТТ 56, 816 (2014)
  5. A.V. Babichev, V.E. Gasumyants, V.Y. Butko. J. Appl. Phys. 113, 076 101 (2013)
  6. А.В. Бабичев, В.Ю. Бутко, М.С. Соболев, Е.В. Никитина, Н.В. Крыжановская, А.Ю. Егоров. ФТП 46, 815 (2012)
  7. V.Y. Butko, J.C. Lashley, A.P. Ramirez. Phys. Rev. B 72, 081 312 (2005)
  8. V.Y. Butko, W. So, D.V. Lang, X. Chi, J.C. Lashley, A.P. Ramirez. Physica B 404, 5221 (2009)
  9. S.S. Sabri, P.L. Levesque, C.M. Aguirre, J. Guillemette, R. Martel, T. Szkopek. Appl. Phys. Lett. 95, 242 104 (2009)
  10. G. Mordi, S. Jandhyala, C. Floresca, S. McDonnell, M.J. Kim, R.M. Wallace, L. Colombo, J. Kim. Appl. Phys. Lett. 100, 193 117 (2012)
  11. V. Podzorov, V.M. Pudalov, M.E. Gershenson. Appl. Phys. Lett. 82, 1739 (2003)
  12. V.Y. Butko, X. Chi, D.V. Lang, A.P. Ramirez. Appl. Phys. Lett. 83, 4773 (2003)
  13. V.Y. Butko, X. Chi, A.P. Ramirez. Solid State Commun. 128, 431 (2003)
  14. K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D. Jiang, M.I. Katsnelson, I.V. Grigorieva, S.V. Dubonos, A.A. Firsov. Nature 438, 197 (2005)
  15. V.Y. Butko, P.W. Adams. Nature 409, 161 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.