Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электрический транспорт в графене с различными интерфейсными условиями
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: vladimirybutko@gmail.com
Поступила в редакцию: 8 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.
В интервале от комнатной температуры до температуры кипения азота исследовалось влияние интерфейса на электросопротивление химически осаженного из газовой фазы (CVD) графена. Сопротивление монослойного CVD-графена для случаев соприкосновения графена с подложками Si/SiO2 и GaAs демонстрирует близкую к линейной металлическую температурную зависимость с практически совпадающим наклоном нормированных кривых. Данный наклон соответствует росту сопротивления графена на ~8% при нагреве от температуры кипения азота до комнатной. В этом же температурном интервале для четырехслойного графена наблюдается полупроводниковая температурная зависимость. Установлено, что напыление органического изолятора (парилена) на четырехслойный графен увеличивает наклон этой зависимости на ~5% и при комнатной температуре повышает сопротивление графена на ~20%. Работа частично поддержана проектом РФФИ N 14-02-01212 и Программой фундаментальных исследований Президиума РАН.
- M. Orlita, C. Faugeras, P. Plochocka, P. Neugebauer, G. Martinez, D.K. Maude, A.-L. Barra, M. Sprinkle, C. Berger, W.A. de Heer, M. Potemski. Phys. Rev. Lett. 101, 267 601 (2008)
- Y. Zhang, T. Tang, C. Girit, Z. Hao, M.C. Martin, A. Zettl, M.F. Crommie, Y.R. Shen, F. Wang. Nature 459, 820 (2009)
- С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев. ФТТ 57, 200 (2015)
- С.Ю. Давыдов. ФТТ 56, 816 (2014)
- A.V. Babichev, V.E. Gasumyants, V.Y. Butko. J. Appl. Phys. 113, 076 101 (2013)
- А.В. Бабичев, В.Ю. Бутко, М.С. Соболев, Е.В. Никитина, Н.В. Крыжановская, А.Ю. Егоров. ФТП 46, 815 (2012)
- V.Y. Butko, J.C. Lashley, A.P. Ramirez. Phys. Rev. B 72, 081 312 (2005)
- V.Y. Butko, W. So, D.V. Lang, X. Chi, J.C. Lashley, A.P. Ramirez. Physica B 404, 5221 (2009)
- S.S. Sabri, P.L. Levesque, C.M. Aguirre, J. Guillemette, R. Martel, T. Szkopek. Appl. Phys. Lett. 95, 242 104 (2009)
- G. Mordi, S. Jandhyala, C. Floresca, S. McDonnell, M.J. Kim, R.M. Wallace, L. Colombo, J. Kim. Appl. Phys. Lett. 100, 193 117 (2012)
- V. Podzorov, V.M. Pudalov, M.E. Gershenson. Appl. Phys. Lett. 82, 1739 (2003)
- V.Y. Butko, X. Chi, D.V. Lang, A.P. Ramirez. Appl. Phys. Lett. 83, 4773 (2003)
- V.Y. Butko, X. Chi, A.P. Ramirez. Solid State Commun. 128, 431 (2003)
- K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D. Jiang, M.I. Katsnelson, I.V. Grigorieva, S.V. Dubonos, A.A. Firsov. Nature 438, 197 (2005)
- V.Y. Butko, P.W. Adams. Nature 409, 161 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
