Вышедшие номера
Электрический транспорт в графене с различными интерфейсными условиями
Бутко А.В.1,2, Бутко В.Ю.1,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: vladimirybutko@gmail.com
Поступила в редакцию: 8 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.

В интервале от комнатной температуры до температуры кипения азота исследовалось влияние интерфейса на электросопротивление химически осаженного из газовой фазы (CVD) графена. Сопротивление монослойного CVD-графена для случаев соприкосновения графена с подложками Si/SiO2 и GaAs демонстрирует близкую к линейной металлическую температурную зависимость с практически совпадающим наклоном нормированных кривых. Данный наклон соответствует росту сопротивления графена на ~8% при нагреве от температуры кипения азота до комнатной. В этом же температурном интервале для четырехслойного графена наблюдается полупроводниковая температурная зависимость. Установлено, что напыление органического изолятора (парилена) на четырехслойный графен увеличивает наклон этой зависимости на ~5% и при комнатной температуре повышает сопротивление графена на ~20%. Работа частично поддержана проектом РФФИ N 14-02-01212 и Программой фундаментальных исследований Президиума РАН.