Нестационарная фотоэдс в широкозонном диэлектрике MnO
Брюшинин М.А.1, Петров А.А.1, Писарев Р.В.1, Соколов И.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mb@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 19 ноября 2014 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.
Несмотря на то, что оксид марганца является широкозонным диэлектриком с шириной запрещенной зоны Eg~=4 eV и в нелегированном состоянии характеризуется высоким удельным сопротивлением, экспериментально обнаружено явление нестационарной фотоэдс на динамических решетках объемного заряда, формируемых в MnO светом с энергией фотонов 1.96 eV (lambda=633 nm). Изучены зависимости амплитуды сигнала фотоэдс от частоты фазовой модуляции, интенсивности света и пространственной частоты интерференционной картины. Для объяснения необычной частотной зависимости сигнала использована двухуровневая модель полупроводника, учитывающая присутствие мелких ловушек в кристалле. Определены фотоэлектрические параметры материала. Работа выполнена при частичной поддержке Правительства РФ (грант 14.В25.31.0025) и РФФИ (грант 15-02-04222).
- J. Zaanen, G.A. Sawatzky, J.W. Allen. Phys. Rev. Lett. 55, 418 (1985)
- B. Fromme. d-d Excitations in Transition-Metal Oxides. Springer Tracts in Modern Physics. V. 170. Springer, Berlin Heidelberg (2001). 147 p
- D.N. Basov, R.D. Averitt, D. van der Marel, M. Dressel, K. Haule. Rev. Mod. Phys. 83, 471 (2011)
- F.J. Morin. Bell Syst. Tech. J. 37, 1047 (1958)
- И.А. Драбкин, Л.Т. Емельянова, Р.Н. Искендеров, Я.М. Ксендзов. ФТT 10, 3082 (1968) [Sov. Phys. Solid State 10, 2428 (1969)]
- D. Adler, J. Feinleib. Phys. Rev. B 2, 3112 (1970)
- S. Mochizuki. J. Phys. C. 21, 5183 (1988)
- С.И. Шаблаев, Р.В. Писарев. ФТT 45, 1660 (2003) [Phys. Solid State 45, 1742 (2003)]
- M. Fiebig, D. Frohlich, Th. Lottermoser, V.V. Pavlov, R.V. Pisarev, H.-J. Weber. Phys. Rev. Lett. 87, 137 202 (2001)
- I. Sanger, V.V. Pavlov, M. Bayer, M. Fiebig. Phys. Rev. B 74, 144 401 (2006)
- T. Satoh, S.-J. Cho, T. Shimura, K. Kuroda, H. Ueda, Y. Ueda, M. Fiebig. J. Opt. Soc. Am. B 27, 1421 (2010)
- A.M. Kalashnikova, A.V. Kimel, R.V. Pisarev, V.N. Gridnev, A. Kirilyuk, Th. Rasing. Phys. Rev. Lett. 99, 167 205 (2007)
- A.M. Kalashnikova, A.V. Kimel, R.V. Pisarev, V.N. Gridnev, P.A. Usachev, A. Kirilyuk, Th. Rasing. Phys. Rev. B 78, 104 301 (2008)
- T. Satoh, S.-J. Cho, R. Iida, T. Shimura, K. Kuroda, H. Ueda, Y. Ueda, B.A. Ivanov, F. Nori, M. Fiebig. Phys. Rev. Lett. 105, 077 402 (2010)
- T. Kampfrath, A. Sell, G. Klatt, A. Pashkin, S. Mahrlein, T. Dekorsy, M. Wolf, M. Fiebig, A. Leitenstorfer, R. Huber. Nature Photon. 5, 31 (2011)
- J. Nishitani, T. Nagashima, M. Hangyo. Appl. Phys. Lett. 103, 081 907 (2013)
- I.A. Sokolov, S.I. Stepanov. J. Opt. Soc. Am. B 10, 1483 (1993)
- В.И. Белиничер, Б.И. Стурман. УФН 130, 415 (1980) [Sov. Phys. Usp. 23, 199 (1980)]
- Б.И. Стурман, В.М. Фридкин. Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии и родственные явления. Наука, М. (1992). 208 с
- М.П. Петров, С.И. Степанов, А.В. Хоменко. Фоторефрактивные кристаллы в когерентной оптике. Наука, СПб. (1992). 320 с
- M. Bryushinin, V. Golubev, Y. Kumzerov, D. Kurdyukov, I. Sokolov. Appl. Phys. B 95, 489 (2009)
- M. Bryushinin, V. Kulikov, E. Mokhov, S. Nagalyuk, I. Sokolov. Phys. Rev. B 86, 085 209 (2012)
- С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. Физматгиз, М. (1963). 496 с
- A.K. Chaudhury, K.V. Rao. Phys. Status Solidi B 32, 731 (1969)
- M.A. Bryushinin, I.A. Sokolov. Phys. Rev. B 62, 7186 (2000)
- T.O. dos Santos, J. Frejlich, K. Shcherbin. Appl. Phys. B 99, 701 (2010)
- T.O. dos Santos, J. Frejlich, J.C. Launay, K. Shcherbin. Appl. Phys. B 95, 627 (2009)
- I.A. Sokolov, M.A. Bryushinin, V.V. Kulikov, S.H. Khan, K.T.V. Grattan. Int. J. Lifecycle Perform. Eng. 1, 270 (2013)
- M. Bryushinin, V. Kulikov, I. Sokolov, P. Delaye, G. Pauliat. J. Opt. Soc. Am. B 31, 723 (2014)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.