Электромеханические свойства пьезоэлектрических кристаллов Pb3Ga2Ge4O14, выращенных из раствора в расплаве
Сорокин Б.П.1, Глушков Д.А.1, Безматерных Л.Н.2, Темеров В.Л.2, Гудим И.А.2, Александров К.С.2
1Красноярский государственный университет, Красноярск, Россия
2Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия

Email: bsorokin@lan.krasu.ru
Поступила в редакцию: 18 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.
Из собственных растворов-расплавов выращены монокристаллы галлогерманата свинца Pb3Ga2Ge4O14. Исследовано распространение объемных акустических волн и вычислены упругие, пьезоэлектрические и диэлектрические постоянные. Исследованы температурные зависимости диэлектрических постоянных в данном кристалле. Работа выполнена при поддержке ФЦП "Интеграция" (проект N 67).
- B.V. Mill, Yu.V. Pisarevsky. Proc. of 2000 IEEE/EIA Int. Frequency Control Symp. and Exhibition. Kansas-City, USA (2000). P. 133
- А.А. Каминский, С.Э. Саркисов, Б.В. Милль, Г.Г. Ходжабагян. АН СССР. Неорган. материалы 18, 1396 (1982)
- B.H.T. Chai, A.N.P. Bustamante, M.C. Chou. Proc. of 2000 IEEE/EIA Int. Frequency Control Symp. and Exhibition. Kansas-City, USA (2000). P. 163
- Л.Н. Безматерных, А.Д. Васильев, И.А. Гудим, В.Л. Темеров. Выращивание и структура монокристаллов Pb3Ga2Ge4O14 и Ba3Ga2Ge4O14. Тез. X Нац. конф. по росту кристаллов. М. (2002)
- Е.Л. Белоконева, С.Ю. Стефанович, Ю.В. Писаревский, А.В. Мосунов. ЖНХ 45, 11, 1786 (2000)
- Б.П. Сорокин, П.П. Турчин, Д.А. Глушков. ФТТ 36, 10, 2907 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.