Вышедшие номера
Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией
Дорохин М.В.1, Павлов Д.А.2, Бобров А.И.2, Данилов Ю.А.1, Дёмина П.Б.1, Звонков Б.Н.1, Здоровейщев А.В.1, Кудрин А.В.2, Малехонова Н.В.2, Малышева Е.И.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: dorokhin@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 21 апреля 2014 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.

Продемонстрирована возможность эпитаксиального выращивания слоев ферромагнитного галлида марганца Mn3Ga5 на поверхности (100) GaAs. Ферромагнитные свойства эпитаксиального Mn3Ga5 при комнатной температуре оценивались исходя из измерений аномального эффекта Холла. Сформирована диодная структура на основе контакта Mn3Ga5/GaAs, проведено измерение низкотемпературной электролюминесценции такого диода. Возможность получения электролюминесценции и высокое кристаллическое совершенство исследованных структур свидетельствуют о перспективах их применения в светоизлучающих диодах со спиновой инжекцией. Работа выполнена при поддержке грантов РФФИ (N 13-02-97140, 13-07-00982, 14-07-31280) и Президента РФ (МК-2708.2013.2).