Вышедшие номера
Морфология, химический состав и электрические характеристики гибридных структур, выращенных на основе нанокомпозита (Ni-C) на ван-дер-ваальсовой поверхности (0001) GaSe
Бахтинов А.П.1, Водопьянов В.Н.1, Ковалюк З.Д.1, Кудринский З.Р.1, Нетяга В.В.1, Вишняк В.В.2, Карбовский В.Л.2, Литвин О.С.3
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова НАН Украины, Киев, Украина
3Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: kudrynskyi@gmail.com
Поступила в редакцию: 2 августа 2013 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.

Методами атомно-силовой микроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследованы морфология и химический состав металлических (Ni), углеродных и нанокомпозитных (Ni-C) наноструктур, выращенных в вакууме на окисленных и неокисленных поверхностях (0001) слоистого кристалла GaSe методом испарения материала электронным пучком из жидкого ионного источника в электрическом поле. Установлено, что в зависимости от режимов выращивания и состояния поверхности подложки при помощи этой технологии могут быть выращены наноструктуры с различной морфологией. На неокисленной ван-дер-ваальсовой поверхности (0001) GaSе выращены плотные однородные массивы капсулированных в углеродные оболочки наночастиц никеля (Ni@C) (с геометрическими размерами ~ 1-15 nm и латеральной плотностью >1010 сm-2) и углеродные слои (с толщиной порядка нескольких нанометров), а на окисленной поверхности --- нанокомпозитные (Ni-C) наноструктуры. Исследованы процессы формирования оксидных наноструктур на ван-дер-ваальсовой поверхности и их химический состав. На поверхности (0001) GaSe выращены вертикальные гибридные структуры Au/Ni/(Ni-C)/n-Ga2O3(Ni@C)/p-GaSe, которые содержат встроенные в широкозонный оксид n-Ga2O3 наночастицы Ni@C. На вольт-амперных характеристиках этих структур при температурах, близких к T=300 К, наблюдались особенности, характерные для эффекта кулоновской блокады проводимости.
  1. А. Ферт. УФН 178, 1336 (2008)
  2. N. Tombros, C. Jozsa, M. Popinciuc, H.T. Jonkman, B.J. van Wees. Nature 448, 571 (2007)
  3. V.M. Karpan, P.A. Khomyakov, A.A. Starikov, G. Giovannetti, M. Zwierzycki, M. Talanana, G. Brocks, J. Van Den Brink, P.J. Kelly. Phys. Rev. B 78, 195 419 (2008)
  4. A.K. Geim, I.V. Grigorieva. Nature 499, 419 (2013)
  5. K.C. Hwang. J. Phys. D 43, 374 001 (2010)
  6. R. Fleet, H. Kobayashi, Y. Ohno, J.-Y. Kim, C.H.W. Barnes, A. Hirohata. J. Appl. Phys. 109, 07С504 (2011)
  7. А. Koma, К. Yoshimura. Surf. Sci. 174, 556 (1986)
  8. W. Jaegermann, A. Klein, C. Pettenkofer. In: Electron spectroscopies applied to low-dimensional materials / Eds H.P. Hughes, H.I. Stamberg. Kluwer, Dordrecht (2002). P. 317
  9. A. Koma. Prog. Cryst. Growth Charact. 30, 129 (1995)
  10. A. Klein, O. Lang, R. Schlaf, C. Pettenkofer, W. Jaegermann. Phys. Rev. Lett. 80, 361 (1998)
  11. А.В. Елецкий, И.М. Искандарова, А.А. Книжник, Д.Н. Красиков. УФН 181, 233 (2011)
  12. Г.Г. Сихарулидзе. ЖТФ 67, 82 (1997)
  13. М.В. Горохов, В.М. Кожевин, Д.А. Явсин, А.В. Анкудинов, А.А. Ситникова, С.А. Гуревич. ЖТФ 82, 135 (2012)
  14. А.П. Бахтинов, В.Н. Водопьянов, Е.И. Слынько, З.Д. Ковалюк, О.С. Литвин. Письма в ЖТФ 33, 80 (2007)
  15. А.П. Бахтинов, В.Н. Водопьянов, В.В. Нетяга, З.Р. Кудринский, О.С. Литвин. ФТП 46, 356 (2012)
  16. S. Amini, J. Garay, G. Liu, A.A. Balandin, R. Abbaschian. J. Appl. Phys. 108, 094 321 (2010)
  17. K.H. Bennemann. J. Phys.: Cond. Matter 23, 073 202 (2011)
  18. Т.Л. Макарова. ФТП 38, 641 (2004)
  19. А.И. Дмитриев, В.В. Вишняк, Г.В. Лашкарев, В.Л. Карбовский, З.Д. Ковалюк, А.П. Бахтинов. ФТТ 53, 579 (2011)
  20. С.И. Драпак, С.В. Гаврилюк, З.Д. Ковалюк, О.С. Литвин. ФТП 42, 423 (2008)
  21. A. Baraldi. J. Phys.: Cond. Matter 20, 093 001 (2008)
  22. H. Iwakuro, С. Tatsuyama, S. Ichimura. Jpn. J. Appl. Phys. 21, 94 (1982)
  23. А.П. Бахтинов, В.Н. Водопьянов, З.Д. Ковалюк, В.В. Нетяга, О.С. Литвин. ФТП 44, 180 (2010)
  24. М.В. Горохов, В.М. Кожевин, Д.А. Явсин, С.А. Гуревич. ЖТФ 78, 46 (2008)
  25. I.T. McGovern, J.F. McGilp, G.J. Hughes, A. McKinley, R.H. Williams, D. Norman. Vacuum 33, 607 (1983)
  26. M. Eddrief, Y. Wang, V.H. Etgens, D.H. Mosca, J.-L. Maurice, J.M. Jeorge, A. Fert, S. Bourgognou. Phys. Rev. B 63, 094 428 (2001)
  27. Gy.J. Kovacs, I. Bertoti, G. Radnoczi. Thin Solid Films 516, 7942 (2008)
  28. T. Ujvari, A. Toth, Gy.J. Kovacs, G. Safran, O. Geszti, G. Radnoczi, I. Bertoti. Surf. Interface Anal. 36, 760 (2004)
  29. G. Abrasonis, A.C. Scheinost, S. Zhou, R. Torres, R. Gago, I. Jimenez, K. Kuepper, K. Potzger, M. Krause, A. Kolitsch, W. Moller, S. Bartkowski, M. Neumann, R.R. Gareev. J. Phys. Chem. C 112, 12 628 (2008)
  30. A.P. Grosvenor, M.C. Biesinger, R.St.C. Smart, N.S. McIntyre. Surf. Sci. 600, 1771 (2006)
  31. O. Mamezaki, H. Adachi, S. Tomita, M. Fujii, S. Hayashi. Jpn. J. Appl. Phys. 39, 6680 (2000)
  32. J. Tamayo, R. Garcia. Appl. Phys. Lett. 73, 2926 (1998)
  33. A. Mechler, J. Kokavecz, P. Heszler, R. Lal. Appl. Phys. Lett. 82, 3740 (2003)
  34. G. Abrasonis, T.W.H. Oates, Gy.J. Kovacs, J. Grenzer, P.O.A. Persson, K.-H.H. Heinig, A. Martinavicius, N. Jeutter, C. Baehtz, M. Tucker, M.M.M. Bilek, W. Moller. J. Appl. Phys. 108, 043 503 (2010)
  35. F. Banhart, J.-C. Charlier, P.M. Ajayan. Phys. Rev. Lett. 84, 686 (2000)
  36. Q. Yu, J. Lian, S. Siriponglert, H. Li, Y.P. Chen, S.-S. Pei. Appl. Phys. Lett. 93, 113 103 (2008)
  37. S. Kinge, M. Crego-Calama, D. Reinhoudt. Chem. Phys. Chem. 9, 20 (2008)
  38. А.П. Бахтинов, В.Б. Боледзюк, З.Д. Ковалюк, З.Р. Кудринский, О.С. Литвин, А.Д. Шевченко. ФТТ 55, 1063 (2013)
  39. A. Rastelli, M. Stoffel, J. Tersoff, G.S. Kar, O.G. Smidt. Phys. Rev. Lett. 95, 026 103 (2005)
  40. А.П. Бахтинов, В.Н. Водопьянов, B.И. Иванов, З.Д. Ковалюк, О.С. Литвин. ФТТ 55, 163 (2013)
  41. J. Lahiri, T.S. Miller, A.J. Ross, L. Adamska, I.I. Oleynik, M. Batzill. New J. Phys. 13, 025 001 (2011)
  42. J. Lahiri, M. Batzill. Appl. Phys. Lett. 97, 023 102 (2010)
  43. M. Sicot, P. Leicht, A. Zusan, S. Bouvron, O. Zander, M. Weser, Yu.S. Dedkov, K. Horn, M. Fonin. ACS Nano 6, 151 (2012)
  44. А.M. Bratkovsky. Rep. Progr. Phys. 71, 026 502 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.