Издателям
Вышедшие номера
Оптические свойства полупроводника в экситонной области спектра в условиях действия мощного импульса накачки в области M-полосы
Хаджи П.И.1,2, Надькин Л.Ю.1,2
1Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко, Тирасполь, Молдова
2Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
Email: tdsu4@idknet.com
Поступила в редакцию: 9 февраля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2005 г.

Исследовано поведение диэлектрической восприимчивости полупроводника при зондировании экситонного состояния фононами слабого импульса в присутствии мощного лазерного импульса в области M-полосы люминесценции CuCl. Показано, что имеет место ярко выраженный эффект Аутлера--Таунса на экситонном переходе. Положение пиков поглощения существенно определяется амплитудой и частотой поля накачки.
  1. R. Leonelli, A. Manar, J.B. Grun, B. Honerlage. Phys. Rev. B 45, 4141 (1992)
  2. G.O. Smith, E.J. Mayer, J. Kuhl, K. Ploog. Solid State Commun. 92, 325 (1994)
  3. G. Finkelstein, S. Bar-Ad, O. Carmel, I. Bar-Joseph, Y. Levinson. Phys. Rev. B 47, 12 964 (1993)
  4. D. Hulin, M. Joffre. Phys. Rev. Lett. 65, 3425 (1990)
  5. N. Peyghambarian, H.M. Gibbs, J.L. Jewell, A. Antonetti, A. Migus, D. Hulin, A. Mysyrowicz. Phys. Rev. Lett. 53, 2433 (1984)
  6. A. von Lehmen, D.S. Chemla, J.E. Zucker, J.P. Heritage. Opt. Lett. 11, 609 (1985)
  7. R. Shimano, M. Kuwata-Gonokami. Phys. Rev. Lett. 72, 530 (1994)
  8. П.И. Хаджи, А.В. Коровай, Д.В. Ткаченко. ФТТ 44, 774 (2002)
  9. P.I. Khadzhi, A.V. Corovai, O.V. Korovai, D.V. Tkachenko. Moldavian J. Phys. Sci. 1, 152 (2002)
  10. E. Hanamura. Phys. Rev. B 44, 8514 (1991)
  11. С.А. Москаленко, В.Г. Павлов, В.Р. Мисько. ФТТ 40, 924 (1998)
  12. S.A. Moskalenko, D.W. Snoke. Bose--Einstein condensation of excitons and biexcitons and coherent nonlinear optics with excitons. Cambridge University Press (2000)
  13. G.S. Agarwal. Phys. Rev. A 51, R2711 (1995)
  14. П.И. Хаджи, Д.В. Ткаченко. ФТТ 40, 934 (1998)
  15. П.И. Хаджи. Нелинейные оптические процессы в системе экситонов и биэкситонов в полупроводниках. Штиинца, Кишинев (1985)
  16. H. Kamada, H. Gotoh, J. Temmyo, T. Takagahara, H. Ando. Phys. Rev. Lett. 87, 246 401 (2001)
  17. A. Schulzgen, R. Binder, M.E. Donovan, M. Lindberg, K. Wandke, H.M. Gibbs, G. Khitrova, N. Peyghambarian. Phys. Rev. Lett. 82, 2346 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.