Вышедшие номера
Экситон-дырочное рассеяние в ZnTe
Багаев В.С.1, Зайцев В.В.1, Клевков Ю.В.1, Кривобок В.С.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Email: bagaev@lebedev.ru
Поступила в редакцию: 13 января 2005 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2005 г.

Исследована низкотемпературная люминесценция высокочистых поликристаллов ZnTe при различных уровнях стационарного возбуждения. Обнаружено, что при увеличении уровня возбуждения в спектрах краевой люминесценции доминирует излучение, обусловленное рассеянием экситонов дырками, генерация которых обеспечивается Оже-рекомбинацией экситона, связанного на нейтральном акцепторе (Cu). Работа поддержана грантами Российского фонда фундаментальных исследований N 03-02-16854, 04-02-17078, а также грантом поддержки ведущих научных школ НШ1923.2003.2.