Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Светоизлучающие структуры Si : Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: структурные дефекты
1Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
2Институт физики микроструктур им. Макса Планка, Халле/Саале, Германия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики микроструктур им. Макса Планка, Халле/Саале, Германия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: nick@sobolev.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 29 ноября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2005 г.
C помощью обычной и высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии исследованы структурные дефекты в слоях кремния, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и легированных эрбием до концентрации [Er]=4· 1019 cm-3. Основными типами протяженных структурных дефектов при [Er]>=q2· 1019 cm-3 являются преципитаты Er округлой формы размером 4-25 nm, располагающиеся на границе эпитаксиальный слой-подложка, и пластинчатые выделения ErSi2, залегающие в плоскостях 111 и распространяющиеся по всей толщине слоя. Работа частично поддержана INTAS (грант N 2001-0194), Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 02-02-16374 и 04-02-16935) и Отделением физических наук РАН в рамках научной программы "Новые материалы и структуры".
- R. Serna, J.H. Shin, M. Lohmeier, E. Vlieg, A. Polman, P.F.A. Alkemade. J. Appl. Phys. 79, 5, 2658 (1996)
- J. Stimmer, A. Reittinger, J.F. Nutzel, G. Absreiter, H.P. Holzbrechter, Ch. Buchal. Appl. Phys. Lett. 68, 23, 3290 (1996)
- W.-X. Ni, K.B. Joelsson, C.-X. Du, I.A. Buyanova, G. Pozina, W.M. Chen, G.V. Hansson, B. Monemar, J. Cardenas, B.G. Svensson. Appl. Phys. Lett. 70, 25, 3383 (1997)
- M. Markmann, E. Neufeld, A. Sticht, K. Brunner, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett. 75, 17, 2584 (1999)
- C.-X. Du, W.-X. Ni, K.B. Joelsson, F. Duteil, G.V. Hansson. Opt. Mater. 14, 259 (2000)
- H. Efeoglu, J.H. Evans, T.E. Jackman, B. Hamilton, D.C. Honghton, J.M. Langer, A.R. Peaker, D. Perovic, I. Poole, N. Ravel, P. Hemment, C.W. Chen. Semicond. Sci. Technol. 8, 236 (1993)
- Н.А. Соболев, Д.В. Денисов, А.М. Емельянов, Е.И. Шек, Б.Я. Бер, А.П. Коварский, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, В.М. Устинов, Г.Э. Цирлин, Т.В. Котерева. ФТТ 47, 1, 106 (2005)
- Н.А. Соболев, Д.В. Денисов, А.М. Емельянов, Е.И. Шек, Е.О. Паршин. ФТТ 47, 1, 110 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
