Вышедшие номера
Светоизлучающие структуры Si : Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: структурные дефекты
Вдовин В.И.1, Вернер П.2, Захаров Н.Д.2, Денисов Д.В.3, Соболев Н.А.3, Устинов В.М.3
1Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
2Институт физики микроструктур им. Макса Планка, Халле/Саале, Германия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: nick@sobolev.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 29 ноября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2005 г.

C помощью обычной и высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии исследованы структурные дефекты в слоях кремния, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и легированных эрбием до концентрации [Er]=4· 1019 cm-3. Основными типами протяженных структурных дефектов при [Er]>=q2· 1019 cm-3 являются преципитаты Er округлой формы размером 4-25 nm, располагающиеся на границе эпитаксиальный слой-подложка, и пластинчатые выделения ErSi2, залегающие в плоскостях 111 и распространяющиеся по всей толщине слоя. Работа частично поддержана INTAS (грант N 2001-0194), Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 02-02-16374 и 04-02-16935) и Отделением физических наук РАН в рамках научной программы "Новые материалы и структуры".