Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Светоизлучающие структуры Si : Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: структурные дефекты

Вдовин В.И.¹, Вернер П.², Захаров Н.Д.², Денисов Д.В.³, Соболев Н.А.³, Устинов В.М.³

¹Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
²Институт физики микроструктур им. Макса Планка, Халле/Саале, Германия
³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: nick@sobolev.ioffe.rssi.ru

Поступила в редакцию: 29 ноября 2004 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2005 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

C помощью обычной и высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии исследованы структурные дефекты в слоях кремния, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и легированных эрбием до концентрации [Er]=4· 10¹⁹ cm^-3. Основными типами протяженных структурных дефектов при [Er]>=q2· 10¹⁹ cm^-3 являются преципитаты Er округлой формы размером 4-25 nm, располагающиеся на границе эпитаксиальный слой-подложка, и пластинчатые выделения ErSi₂, залегающие в плоскостях 111 и распространяющиеся по всей толщине слоя. Работа частично поддержана INTAS (грант N 2001-0194), Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 02-02-16374 и 04-02-16935) и Отделением физических наук РАН в рамках научной программы "Новые материалы и структуры".

R. Serna, J.H. Shin, M. Lohmeier, E. Vlieg, A. Polman, P.F.A. Alkemade. J. Appl. Phys. 79, 5, 2658 (1996)
J. Stimmer, A. Reittinger, J.F. Nutzel, G. Absreiter, H.P. Holzbrechter, Ch. Buchal. Appl. Phys. Lett. 68, 23, 3290 (1996)
W.-X. Ni, K.B. Joelsson, C.-X. Du, I.A. Buyanova, G. Pozina, W.M. Chen, G.V. Hansson, B. Monemar, J. Cardenas, B.G. Svensson. Appl. Phys. Lett. 70, 25, 3383 (1997)
M. Markmann, E. Neufeld, A. Sticht, K. Brunner, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett. 75, 17, 2584 (1999)
C.-X. Du, W.-X. Ni, K.B. Joelsson, F. Duteil, G.V. Hansson. Opt. Mater. 14, 259 (2000)
H. Efeoglu, J.H. Evans, T.E. Jackman, B. Hamilton, D.C. Honghton, J.M. Langer, A.R. Peaker, D. Perovic, I. Poole, N. Ravel, P. Hemment, C.W. Chen. Semicond. Sci. Technol. 8, 236 (1993)
Н.А. Соболев, Д.В. Денисов, А.М. Емельянов, Е.И. Шек, Б.Я. Бер, А.П. Коварский, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, В.М. Устинов, Г.Э. Цирлин, Т.В. Котерева. ФТТ 47, 1, 106 (2005)
Н.А. Соболев, Д.В. Денисов, А.М. Емельянов, Е.И. Шек, Е.О. Паршин. ФТТ 47, 1, 110 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель