Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Объемное антистоксово вторичное излучение в фосфиде галлия при температуре 4.2 K

Горелик В.С.¹, Карузский А.Л.¹, Свербиль П.П.¹

¹Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 17 сентября 2001 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Выполнены исследования вторичного излучения (фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света) в монокристаллах фосфида галлия при гелиевых температурах. Впервые установлено, что при возбуждении спектров вторичного излучения непрерывным маломощным гелий-неоновым лазером, линия генерации которого находится в области прозрачности фосфида галлия, наблюдается антистоксова фотолюминесценция из объема образца, обусловленная межзонной, а также примесной рекомбинацией. Полученные результаты открывают возможность для проведения качественного и количественного анализа примесей, присутствующих внутри объема полупроводника, на основе регистрации спектров объемной антистоксовой фотолюминесценции при низких температурах. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 98-02-17452) и ГНТП ПТУМНЭ (02.04.4.2.15Э37).

А.Л. Карузский, А.В. Квит, В.Н. Мурзин, Ю.А. Митягин, А.В. Пересторонин, Ю.А. Алещенко, Н.Н. Мельник. Микроэлектроника 25, 1, 13 (1996)
А.Э. Юнович. В сб.: Излучательная рекомбинация в полупроводниках / Под ред. Я.Е. Покровского. Наука, М. (1972). С. 273
D.C. Thomas, J.J. Hopfield, W.M. Augustyniak. Phys. Rev. 140, 1A, A202 (1965)
Б.М. Ашкинадзе, И.П. Крецу, С.Л. Пышкин, С.М. Рывкин, И.Д. Ярошецкий. ФТТ 10, 12, 3681 (1968)
Б.М. Ашкинадзе, И.П. Крецу, С.Л. Пышкин, И.Д. Ярошецкий. ФТП 2, 10, 1511 (1968)
Б.М. Ашкинадзе, А.И. Бобрышева, Е.В. Витиу, В.А. Коварский, А.В. Леляков, С.А. Москаленко, С.Л. Пышкин, С.И. Радауцан. Труды IX Межд. конф. по физ. полупр. Т. 1. М. (1968). С. 200
Б.М. Ашкинадзе, С.М. Рывкин, И.Д. Ярошецкий. ФТП 3, 4, 535 (1969)
Б.Г. Журкин, А.Л. Карузский, В.А. Фрадков. В сб.: Оптически возбужденные полупроводники при низких и сверхнизких температурах / Гл. ред. Н.Г. Басов. Труды Физического института им. П.Н. Лебедева АН СССР. Т. 188. Наука, М. (1988). С. 178
M. Chiba, V.A. Fradkov, A.L. Karuzskii, A.V. Perestoronin, B.G. Zhurkin. Physica B: Condens. Matter 302--303, 408 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель