Вышедшие номера
Электрофизические свойства и электронная структура теллурида сурьмы, легированного оловом
Гасенкова И.В.1, Житинская М.К.2, Немов С.А.2, Иванова Л.Д.3
1Институт электроники Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 3 октября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2002 г.

Исследовано влияние атомов Sn на электрофизические свойства и рентгеновские фотоэлектронные (РФЭ) спектры монокристаллов Sb2Te3, выращенных методом Чохральского. Показано, что характер температурных зависимостей кинетических коэффициентов существенным образом определен строением валентной зоны, состоящей из двух валентных подзон. Сделанные оценки значений эффективных масс плотности состояний дырок и зазора между экстремумами валентной зоны в Sb2Te3 : Sn согласуются с данными для нелегированного оловом Sb2Te3. В РФЭ спектрах монокристаллов Sb2Te3 : Sn не наблюдается значительных сдвигов остовных уровней и перераспределения электронной плотности в валентной зоне.