Процессы релаксации возбужденного состояния радиационных дырочных O₁⁰-центров на немостиковых атомах кислорода в стеклообразном SiO₂ исследованы с привлечением методов люминесцентной спектроскопии, оптического поглощения и фотоэлектронной эмиссии. Установлено, что при температурах выше 370 K наряду с внутрицентровым тушением полосы люминесценции 1.9 eV включается дополнительный канал безызлучательной релаксации. Указанный эффект экспериментально обнаруживается в виде отрицательного отклонения температурной зависимости интенсивности люминесценции от известного закона Мотта и интерпретирован как термоактивированный процесс внешнего тушения с энергетическим барьером 0.46 eV. В результате реализации безызлучательных переходов в интервале температур внешнего тушения имеет место миграция энергии возбуждения с последующей генерацией свободных электронов. На конечных стадиях релаксационного механизма данный процесс проявляется как эффект спектральной сенсибилизации фотоэмиссии электронов, возбуждаемой в полосе поглощения дырочных O₁⁰-центров. Настоящая работа выполнена при финансовой поддержке (проект N REC-005) Американского фонда гражданских исследований и развития (CRDF).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.