Издателям
Вышедшие номера
Экспериментальные и теоретические исследования деформации решетки, индуцируемой заряженными 3d-примесями в полупроводниках II--IV
Соколов В.И.1, Груздев Н.Б.1, Широков Е.А.1, Старовойтова В.Н.1, Соколов А.В.1, Кислов А.Н.2, Некрасов И.А.2
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2Уральский государственный технический университет, Екатеринбург, Россия
Email: visokolov@imp.uran.ru
Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.

Изложены результаты исследований фотоиндуцированных колебаний решетки, обусловленных наличием заряженных 3d-примесей (в частности, Ni) в полупроводниках II--IV (ZnSe, ZnO) и твердых растворах ZnSSe, ZnCdSe. Экспериментальные исследования оптическим методом экситонно-колебательной спектроскопии обнаруживают взаимодействие между локальными колебательными модами, что является следствием сильной ангармоничности локальных колебаний. Анализ колебательных повторений головной линии в спектрах позволяет указать на характер ангармоничности. Выполненные модельные расчеты для кристаллов ZnSe : Ni и ZnO : Ni свидетельствуют о сильной деформации ближайшего окружения заряженной примеси Ni. Сдвиги линий в расчетных и экспериментальных рентгеновских эмиссионных спектрах (XES) говорят о необходимости учета изменения зарядового состояния Ni.
  1. В.И. Соколов. ФТП 28, 4, 545 (1994)
  2. V.I. Sokolov, E.A. Shirokov, A.N. Kislov, V.G. Mazurenko. J. Crystal Growth 214/215, 304 (2000)
  3. V.I. Sokolov, E.A. Shirokov, A.N. Kislov, V.G. Mazurenko. Phys. Stat. Sol. (b) 221, 553 (2000)
  4. А.Н. Кислов, В.Г. Мазуренко, В.И. Соколов, А.Н. Вараксин. ФТТ 39, 2147 (1997)
  5. А.Н. Кислов, В.Г. Мазуренко, В.И. Соколов, А.Н. Вараксин. ФТТ 41, 986 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.